非易失性半导体存储器和将数据写入所述存储器的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN02157124.4
IPC分类号：G11C16/06;H01L27/10
申请日期：
2002-12-17
申请人：
夏普株式会社

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著录项信息

专利名称	非易失性半导体存储器和将数据写入所述存储器的方法
申请号	CN02157124.4	申请日期	2002-12-17
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2003-07-02	公开/公告号	CN1427419
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C16/06 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C16/00 可擦除可编程序只读存储器（G11C 14/00优先）〔5〕 G11C16/02 电可编程序的〔5〕 G11C16/06 辅助电路，例如，用于写入存储器的（一般入G11C 7/00）〔5〕	IPC分类号	G;1;1;C;1;6;/;0;6;;;H;0;1;L;2;7;/;1;0查看分类表>
申请人	夏普株式会社	申请人地址	韩国京畿道变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	三星电子株式会社	当前权利人	三星电子株式会社
发明人	山内祥光
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	龚海军

摘要

一种将数据写入非易失性半导体存储器的方法，该非易失性半导体存储器具有多个存储单元，其中字线由存储单元共用，位线由相邻的存储单元共用，该方法包括从一端的存储单元到另一端的存储单元依次将数据写入与同一条字线连接的存储单元中。该方法允许在重写半导体存储器之后，在设置在同一字线上的多个单元中准确地控制阈值，而不依赖相邻单元的状态。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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