紫蓝硅光电二极管

实用新型专利无效专利

申请号：
CN201120448164.2
IPC分类号：H01L31/105;H01L31/0352
申请日期：
2012-05-29
申请人：
傲迪特半导体（南京）有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	紫蓝硅光电二极管
申请号	CN201120448164.2	申请日期	2012-05-29
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L31/105 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L31/058 （转入H01L 31/0525，H02S 40/44） H01L31/08 其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器〔2〕 H01L31/10 特点在于至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的，例如光敏晶体管〔2〕 H01L31/101 对红外、可见或紫外辐射敏感的器件〔5〕 H01L31/102 仅以一个势垒或面垒为特征的〔5〕 H01L31/105 为PIN型势垒的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;1;/;1;0;5;;;H;0;1;L;3;1;/;0;3;5;2查看分类表>
申请人	傲迪特半导体（南京）有限公司	申请人地址	江苏省南京市栖霞经济开发区润华路3号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	傲迪特半导体（南京）有限公司	当前权利人	傲迪特半导体（南京）有限公司
发明人	崔峰敏
代理机构	江苏致邦律师事务所	代理人	樊文红

摘要

本实用新型涉及紫蓝硅光电二极管，目的提供一种工作在430nm-1100nm光谱，暗电流小，光电转换效率高的紫蓝硅光电二极管。紫蓝硅光电二极管，在高电阻率的N型区熔单晶片的正面周边设有环状N型Si层，环状N型Si层内侧设有P型Si层，在环状N型Si层和P型Si层之间隔着环形高阻硅层，在P型Si层表面设有氮化硅膜，环形高阻硅层表面设有二氧化硅膜，P型Si层上有小部分氮化硅膜被光刻、腐蚀掉，形成P型Si层裸露区，在P型Si层裸露区表面贴附有金属AL作为阳极，硅片的背面积淀金属Cr或Au膜阴极。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供