硅型电荷迁移物质的生产方法

发明专利无效专利

申请号：
CN96123304.4
IPC分类号：--
申请日期：
1996-11-06
申请人：
陶氏康宁亚洲株式会社

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	硅型电荷迁移物质的生产方法
申请号	CN96123304.4	申请日期	1996-11-06
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	1997-05-28	公开/公告号	CN1150591
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	陶氏康宁亚洲株式会社	申请人地址	日本东京变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	陶氏康宁亚洲株式会社	当前权利人	陶氏康宁亚洲株式会社
发明人	栉引信男;竹内贵久子
代理机构	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人	全菁

摘要

本发明揭示了一种生产电荷迁移物质的方法，该物质给予聚硅氧烷树脂电荷迁移性质，该物质在树脂中是可溶的。该电荷迁移物质是带有许多芳基的芳族取代的叔胺，甲硅烷基通过烃基引入到至少一个芳基上。该方法使用不饱和脂族基，其与芳基键连，构成硅型电荷迁移化合物，或使用新键连的不饱和脂族基，其与其中硅原子的取代基是氢原子或可水解基团的硅烷链连。该方法利用氢化硅烷化反应在催化剂如铂化合物存在下进行。然后将硅型电荷迁移物质与铂化合物的吸附剂接触，使得铂化合物被吸附到吸附剂上。将铂化合物与吸附剂一起除去，使得剩余的铂化合物的浓度低于10ppm。

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