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一种低压ZnO压敏电阻陶瓷及其制备方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201710114199.4
  • IPC分类号:C04B35/453;C04B35/622
  • 申请日期:
    2017-02-28
  • 申请人:
    安徽拓吉泰新型陶瓷科技有限公司
著录项信息
专利名称一种低压ZnO压敏电阻陶瓷及其制备方法
申请号CN201710114199.4申请日期2017-02-28
法律状态驳回申报国家中国
公开/公告日2017-05-31公开/公告号CN106747407A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C04B35/453IPC分类号C;0;4;B;3;5;/;4;5;3;;;C;0;4;B;3;5;/;6;2;2查看分类表>
申请人安徽拓吉泰新型陶瓷科技有限公司申请人地址
安徽省合肥市新站区文忠路999号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人安徽拓吉泰新型陶瓷科技有限公司当前权利人安徽拓吉泰新型陶瓷科技有限公司
发明人宋晓超;张天宇;何东;张天舒
代理机构北京联瑞联丰知识产权代理事务所(普通合伙)代理人张清彦
摘要
本发明公开一种低压ZnO压敏电阻陶瓷,是由下述重量份的原料制成:ZnO80~90份、Bi2O31~10份、MnO20.6~1.2份、BaCO30.1~0.8份、Sb2O30.7~1.1份、Co2O30.8~1.2份、SiO20.9~1.5份、Cr2O30.8~1.2份。本发明还公开了该低压ZnO压敏电阻陶瓷的制备方法,取BaCO3和部分ZnO制备籽晶,然后将各物料倒入搅拌球磨机球磨,制得黏稠糊状物,利用喷雾干燥技术喷射在合金衬底材料,煅烧,脱模后即得。本发明的压敏电阻综合性较为优良,其压敏电压降至10~12V/mm,残压比为1.190~1.20,其泄漏电流小于1μA/cm2。

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