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碳化硅(SiC)单晶的制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200580005839.3
IPC分类号：C30B29/36;C01B31/36;C30B9/10
申请日期：
2005-12-26
申请人：
松下电器产业株式会社;国立大学法人大阪大学

基础信息

权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	碳化硅(SiC)单晶的制造方法
申请号	CN200580005839.3	申请日期	2005-12-26
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2007-02-28	公开/公告号	CN1922346
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B29/36 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B29/00 以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料〔3，5〕 C30B29/10 无机化合物或组合物〔3〕 C30B29/36 碳化物〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;9;/;3;6;;;C;0;1;B;3;1;/;3;6;;;C;3;0;B;9;/;1;0查看分类表>
申请人	松下电器产业株式会社;国立大学法人大阪大学	申请人地址	日本大阪府变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	松下电器产业株式会社,国立大学法人大阪大学	当前权利人	松下电器产业株式会社,国立大学法人大阪大学
发明人	北冈康夫;佐佐木孝友;森勇介;川村史朗;川原实
代理机构	永新专利商标代理有限公司	代理人	陈建全

摘要

提供一种可以以低成本制造大型的碳化硅(SiC)单晶的制造方法。通过将硅(Si)和碳(C)溶解在碱金属助熔剂中并使它们反应，使碳化硅单晶生成或生长。作为上述碱金属，优选为锂(Li)。根据该方法，即使是在例如1500℃以下的低温条件下，也可以制造碳化硅单晶。将通过本发明的方法得到的碳化硅单晶的一个例子显示在图3(B)的照片上。

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