高磁导率低温烧结中高频叠层片式电感材料及制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN02146687.4
IPC分类号：--
申请日期：
2002-11-05
申请人：
清华大学

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专利名称	高磁导率低温烧结中高频叠层片式电感材料及制备方法
申请号	CN02146687.4	申请日期	2002-11-05
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2003-03-26	公开/公告号	CN1405800
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	清华大学	申请人地址	北京市－82信箱变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	清华大学	当前权利人	清华大学
发明人	王晓慧;屈卫国;李龙土;周济;桂治轮;岳振星;张力
代理机构	北京众合诚成知识产权代理有限公司	代理人	李光松

摘要

本发明公开了属于电感器材料制备技术范围的一种高磁导率低温烧结中高频叠层电感器材料及其制备方法。它是以Ag为内电极，与软磁性铁氧体(Ni0.2－xCu0.2Zn0.6+xO)(Fe2－yMnyO3+0.5y)1－z及助烧剂Bi2O3，在860□～950□温度范围内进行烧结。获得高磁导率中高频片式电感MLCI材料，材料的室温初始磁导率可控制在600～1000之间，陶瓷晶粒尺寸≤2μm。同现有技术相比，本发明可以使低温烧结电感材料磁导率提高到1000，适用于生产大容量，小尺寸的片式电感元件。其配方及工艺简单，性能稳定，适于工业化生产。具有广泛的应用前景和巨大的经济价值。

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