一种用于紫外LED的AlN缓冲层结构及其制作方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202010339063.5
IPC分类号：H01L21/02;H01L33/00;H01L33/12;C30B25/02;C30B28/14;C30B29/40
申请日期：
2020-04-26
申请人：
江西新正耀光学研究院有限公司

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著录项信息

专利名称	一种用于紫外LED的AlN缓冲层结构及其制作方法
申请号	CN202010339063.5	申请日期	2020-04-26
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2020-06-30	公开/公告号	CN111354629A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;0;2;;;H;0;1;L;3;3;/;0;0;;;H;0;1;L;3;3;/;1;2;;;C;3;0;B;2;5;/;0;2;;;C;3;0;B;2;8;/;1;4;;;C;3;0;B;2;9;/;4;0查看分类表>
申请人	江西新正耀光学研究院有限公司	申请人地址	江西省赣州市龙南县龙南经济技术开发区石人片区C-6部分地块(东胜路与金丰北路交汇处) 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	江西新正耀光学研究院有限公司	当前权利人	江西新正耀光学研究院有限公司
发明人	刘锐森;蓝文新;刘召忠;林辉;杨小利
代理机构	合肥德驰知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	刘希慧

摘要

本发明公开了一种用于紫外LED的AlN缓冲层结构及其制作方法，所述制作方法包括：在衬底上生长形成第一AlN缓冲层；在第一AlN缓冲层上生长形成由多个不同温度生长的AlN子层层叠而成的第二AlN缓冲层；第二AlN缓冲层的生长温度大于第一AlN缓冲层的生长温度，且从靠近第一AlN缓冲层到远离第一AlN缓冲层的方向上，每层AlN子层的生长温度依次降低，V/III比依次增加。所述制作方法能改善AlN生长质量，减少AlN缓冲层与衬底热失配导致的翘曲和开裂，减少AlN缓冲层与后续生长的AlGaN材料的温差产生的降温过程的表面裂纹，所得AlN缓冲层晶体质量高，表面无裂纹，外延片可用面积多，产出率和亮度高。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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