半导体器件

实用新型专利有效专利

申请号：
CN201320253551.X
IPC分类号：H01L23/528
申请日期：
2013-05-10
申请人：
新科金朋有限公司

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著录项信息

专利名称	半导体器件
申请号	CN201320253551.X	申请日期	2013-05-10
法律状态	暂无	申报国家	暂无
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/528 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/52 用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置〔2〕 H01L23/522 包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的〔5〕 H01L23/528 互连结构的布置〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;5;2;8查看分类表>
申请人	新科金朋有限公司	申请人地址	新加坡新加坡市变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	新科金朋有限公司,星科金朋（上海）有限公司	当前权利人	新科金朋有限公司,星科金朋（上海）有限公司
发明人	林耀剑;陈康
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	张懿;王忠忠

摘要

本实用新型的名称为半导体器件。一种半导体器件具有衬底，所述衬底包括形成在所述衬底的第一和第二相反表面上的第一和第二导电层。多个引线柱或柱形凸起被形成在所述衬底上。半导体小片被安装到所述引线柱之间的所述衬底上。第一密封剂被沉积在所述半导体小片周围。第一互连结构被形成在所述半导体小片和第一密封剂上。第二密封剂被沉积在所述衬底、半导体小片和第一互连结构上。所述第二密封剂能够被形成在所述半导体小片的一部分和所述衬底的侧表面上。所述第二密封剂的一部分被去除以暴露所述衬底和第一互连结构。第二互连结构被形成在所述第二密封剂和第一互连结构上并且与所述引线柱电耦合。分立半导体器件能够被形成在所述互连结构上。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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