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垂直存储器件

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201810856293.1
  • IPC分类号:H01L27/11551;H01L27/11578
  • 申请日期:
    2018-07-27
  • 申请人:
    三星电子株式会社
著录项信息
专利名称垂直存储器件
申请号CN201810856293.1申请日期2018-07-27
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2019-02-12公开/公告号CN109326606A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L27/11551
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;5;1;;;H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;7;8查看分类表>
申请人三星电子株式会社申请人地址
韩国京畿道 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人三星电子株式会社当前权利人三星电子株式会社
发明人黄盛珉;李东植;任峻成
代理机构北京市柳沈律师事务所代理人屈玉华
摘要
一种垂直存储器件被提供。该垂直存储器件包括衬底、第一栅电极、沟道、第一布线和第二布线。衬底包括单元区域和外围电路区域。第一栅电极在衬底的单元区域上在第一方向上彼此间隔开,第一方向基本上垂直于衬底。沟道在单元区域上在第一方向上延伸穿过第一栅电极的一部分。第一布线形成在单元区域上,并且设置在第一层级处,该第一层级在第一方向上比其上分别形成第一栅电极的栅电极层级更高。第二布线形成在外围电路区域上,并且设置在第一层级处和在比栅电极层级更高的第二层级处。

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