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显示装置以及显示装置的制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201410649540.2
  • IPC分类号:H01L29/786;H01L27/12;G02F1/1368
  • 申请日期:
    2008-08-29
  • 申请人:
    株式会社半导体能源研究所
著录项信息
专利名称显示装置以及显示装置的制造方法
申请号CN201410649540.2申请日期2008-08-29
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2015-04-01公开/公告号CN104485362A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/786
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;8;6;;;H;0;1;L;2;7;/;1;2;;;G;0;2;F;1;/;1;3;6;8查看分类表>
申请人株式会社半导体能源研究所申请人地址
日本神奈川 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人株式会社半导体能源研究所当前权利人株式会社半导体能源研究所
发明人小林聪;川俣郁子;大力浩二;小森茂树;伊佐敏行;山崎舜平
代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所代理人秦晨
摘要
一种显示装置以及显示装置的制造方法。本发明的目的在于提供一种具有电特性及可靠性都高的薄膜晶体管的显示装置、以及一种量产性高地制造该显示装置的方法。在具有沟道停止型的反交错型薄膜晶体管的显示装置中,该沟道停止型的反交错型薄膜晶体管具有包括沟道形成区的微晶半导体膜,并且在该微晶半导体膜的沟道形成区中的不重叠于源电极及漏电极的区域中选择性地设置有包括一种导电型的杂质元素的杂质区。

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