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高纯度镧的制造方法、高纯度镧、包含高纯度镧的溅射靶和以高纯度镧作为主要成分的金属栅膜

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201180055511.8
  • IPC分类号:C22B59/00;C22B5/04;C22B9/22;C23C14/14;C23C14/34;C22C28/00
  • 申请日期:
    2011-11-14
  • 申请人:
    吉坤日矿日石金属株式会社
著录项信息
专利名称高纯度镧的制造方法、高纯度镧、包含高纯度镧的溅射靶和以高纯度镧作为主要成分的金属栅膜
申请号CN201180055511.8申请日期2011-11-14
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2013-07-24公开/公告号CN103221560A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C22B59/00IPC分类号C;2;2;B;5;9;/;0;0;;;C;2;2;B;5;/;0;4;;;C;2;2;B;9;/;2;2;;;C;2;3;C;1;4;/;1;4;;;C;2;3;C;1;4;/;3;4;;;C;2;2;C;2;8;/;0;0查看分类表>
申请人吉坤日矿日石金属株式会社申请人地址
日本东京 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人捷客斯金属株式会社当前权利人捷客斯金属株式会社
发明人高畑雅博;乡原毅
代理机构中原信达知识产权代理有限责任公司代理人王海川;穆德骏
摘要
一种除了镧以外的稀土元素和气体成分以外具有4N以上的纯度的高纯度镧的制造方法,其特征在于,利用蒸馏钙将除了镧以外的稀土元素和气体成分以外的纯度为4N以上的氟化镧原料还原而制作纯度4N以上的镧,并进行电子束熔炼而除去挥发性物质。所述高纯度镧的制造方法,其特征在于,将Al、Fe、Cu各自调节为10重量ppm以下。所述高纯度镧的制造方法,其特征在于,将气体成分以总量计调节为1000重量ppm以下。本发明的课题在于提供能够高效且稳定地提供高纯度镧、包含高纯度镧的溅射靶和以高纯度镧作为主要成分的金属栅用薄膜的技术。

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