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本底硅的测量方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200810115658.1
  • IPC分类号:G01N21/78;G01N21/27
  • 申请日期:
    2008-06-26
  • 申请人:
    北京华科仪电力仪表研究所
著录项信息
专利名称本底硅的测量方法
申请号CN200810115658.1申请日期2008-06-26
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2009-04-08公开/公告号CN101403700
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G01N21/78IPC分类号G;0;1;N;2;1;/;7;8;;;G;0;1;N;2;1;/;2;7查看分类表>
申请人北京华科仪电力仪表研究所申请人地址
北京市大兴区西红门镇金业大街10号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人北京华科仪科技股份有限公司当前权利人北京华科仪科技股份有限公司
发明人陈云龙
代理机构北京汇泽知识产权代理有限公司代理人徐乐慧;张瑾
摘要
本发明公开了一种本底硅的测量方法,其步骤包括:进行零点值测量,用倒加药得显色溶液,零点值的显色溶液的硅浓度为0,电压值V0;配制两种不同浓度的标准溶液,即标液1、标液2,溶液浓度分别为C1、C2;标液1、标液2分别作显色操作,再根据光电比色原理进行测量,并分别测量电压值V1、V2;经过计算,得出本底硅的浓度为X。用于测量的仪器为光度计,显色溶液中二氧化硅浓度越高,所测得的电压值越低。用此方法能够较精准地测量出无硅水中本底硅的浓度,精确了已知浓度二氧化硅的标准溶液的实际浓度,在二氧化硅浓度分析中对二氧化硅含量测得的结果更为精确;且本方法操作简单,精确度高。

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