首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据，仅供参考，实际以国家知识产权局展示为准

MgO-TiO烧结体靶及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202010534063.0
IPC分类号：C04B35/04;C04B35/46;C04B35/622;C04B35/645;C23C14/34
申请日期：
2014-03-04
申请人：
捷客斯金属株式会社

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	MgO-TiO烧结体靶及其制造方法
申请号	CN202010534063.0	申请日期	2014-03-04
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2020-10-20	公开/公告号	CN111792919A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C04B35/04 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C04 水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料〔4〕 C04B 石灰；氧化镁；矿渣；水泥；其组合物，例如：砂浆、混凝土或类似的建筑材料；人造石；陶瓷（微晶玻璃陶瓷入C03C 10/00）；耐火材料（难熔金属的合金入C22C）；天然石的处理〔4〕 C04B35/00 以成分为特征的陶瓷成型制品；陶瓷组合物（含有不用作宏观增强剂的，粘接在碳化物、金刚石、氧化物、硼化物、氮化物、硅化物上的游离金属，例如陶瓷或其他金属化合物，例如氧氮化合物或硫化物的入C22C）；准备制造陶瓷制品的无机化合物的加工粉末〔4〕 C04B35/01 以氧化物为基料的〔6〕 C04B35/03 以用白云石生成的氧化镁、氧化钙或氧化物混合物为基料的〔6〕 C04B35/04 以氧化镁为基料的〔6〕	IPC分类号	C;0;4;B;3;5;/;0;4;;;C;0;4;B;3;5;/;4;6;;;C;0;4;B;3;5;/;6;2;2;;;C;0;4;B;3;5;/;6;4;5;;;C;2;3;C;1;4;/;3;4查看分类表>
申请人	捷客斯金属株式会社	申请人地址	日本东京变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	捷客斯金属株式会社	当前权利人	捷客斯金属株式会社
发明人	高见英生;中村祐一郎;荒川笃俊;荻野真一
代理机构	中原信达知识产权代理有限责任公司	代理人	胡嵩麟;王海川

摘要

本发明涉及MgO‑TiO烧结体靶及其制造方法。一种MgO‑TiO烧结体，其含有25～90摩尔％TiO，其余包含MgO和不可避免的杂质。本发明的课题在于提供一种成膜速度快、且能够进行粉粒产生少的直流(DC)溅射的高密度靶及其制造方法。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供