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一种在高聚物表面原位生长二氧化钛的方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201610602710.0
  • IPC分类号:B01J31/38
  • 申请日期:
    2016-07-26
  • 申请人:
    浙江大学
著录项信息
专利名称一种在高聚物表面原位生长二氧化钛的方法
申请号CN201610602710.0申请日期2016-07-26
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2017-01-18公开/公告号CN106334584A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号B01J31/38IPC分类号B;0;1;J;3;1;/;3;8查看分类表>
申请人浙江大学申请人地址
浙江省杭州市西湖区浙大路38号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人浙江大学当前权利人浙江大学
发明人张溪文;董培梅
代理机构杭州求是专利事务所有限公司代理人忻明年
摘要
本发明公开了一种在高聚物表面原位生长二氧化钛的方法,包括:步骤1,将高聚物溶液与钛源混合均匀后,制成具有固定形貌的预成型体;步骤2,预成型体在酸性气氛中保温一段时间后,得到表面生长有二氧化钛的高聚物。所述高聚物溶液为聚偏氟乙烯溶液、聚乙烯吡咯烷酮溶液、聚丙烯腈溶液、或聚醋酸乙烯酯溶液。本发明提供的在高聚物表面原位生长二氧化钛的方法,将二氧化钛负载在高聚物表面,赋予高聚物更多更优越的性能,同时解决了二氧化钛催化剂回收困难的问题。

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