碳化硅单晶的制造装置

发明专利有效专利

申请号：
CN201080025247.9
IPC分类号：C30B29/36
申请日期：
2010-04-23
申请人：
株式会社普利司通

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	碳化硅单晶的制造装置
申请号	CN201080025247.9	申请日期	2010-04-23
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2012-05-16	公开/公告号	CN102459718A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B29/36 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B29/00 以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料〔3，5〕 C30B29/10 无机化合物或组合物〔3〕 C30B29/36 碳化物〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;9;/;3;6查看分类表>
申请人	株式会社普利司通	申请人地址	日本东京都变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	昭和电工株式会社	当前权利人	昭和电工株式会社
发明人	近藤大辅
代理机构	北京林达刘知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	刘新宇;张会华

摘要

本发明提供一种碳化硅单晶的制造装置。本发明的单晶制造装置(1)包括：坩埚主体(5)，其用于收纳升华用原料；盖体(9)，其在与升华用原料相对的位置设有晶种支承部(7)；引导构件(11)，其自晶种支承部(7)的外周附近朝向升华用原料呈筒状延伸；以及绝热材料(21)，其配置在晶种支承部(7)及引导构件(11)中的至少任意一者的外周侧，并且其导热率设定为低于单晶(27)的导热率；在加热升华用原料(3)及晶种而使单晶(27)生长时，利用绝热材料(21)使自升华用原料(3)流向晶种的热量(H)的流动汇集到晶种处。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供