加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

分段式NPN垂直双极晶体管

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201580009877.X
  • IPC分类号:H01L29/73
  • 申请日期:
    2015-03-23
  • 申请人:
    德州仪器公司
著录项信息
专利名称分段式NPN垂直双极晶体管
申请号CN201580009877.X申请日期2015-03-23
法律状态授权申报国家暂无
公开/公告日2016-10-12公开/公告号CN106030808A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/73
?
IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;3查看分类表>
申请人德州仪器公司申请人地址
美国德克萨斯州 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人德州仪器公司当前权利人德州仪器公司
发明人亨利·利茨曼·爱德华兹;阿克拉姆·A·萨勒曼;MD·伊克巴勒·马哈茂德
代理机构北京律盟知识产权代理有限责任公司代理人暂无
摘要
在所描述的实例中,一种分段式双极晶体管(100)包含半导体表面(106)中的p‑基极,其包含至少一个p‑基极指状物(140),所述p‑基极指状物(140)具有包含接触所述p‑基极指状物(140)的所述半导体表面上的硅化物层(159)的基极金属线的基极金属/硅化物堆叠。n+掩埋层(126)在所述p‑基极之下。集电极包含n+沉降区(115),其从所述半导体表面延伸到所述n+掩埋层(126),其包含具有集电极金属/硅化物堆叠的集电极指状物,所述集电极金属/硅化物堆叠包含接触所述集电极指状物的所述半导体表面上的硅化物层的集电极金属线。n+射极(150)具有至少一个射极指状物,其包含接触所述射极指状物的所述半导体表面上的所述硅化物层(159)的射极金属/硅化物堆叠。所述射极金属/硅化物堆叠和/或集电极金属/硅化物堆叠包含具有间隙(150c)的分段,其切割金属线和/或所述堆叠的所述硅化物层。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供