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薄膜晶体管阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201410640306.3
  • IPC分类号:H01L21/77;H01L27/12
  • 申请日期:
    2014-11-13
  • 申请人:
    京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司
著录项信息
专利名称薄膜晶体管阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置
申请号CN201410640306.3申请日期2014-11-13
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2015-02-25公开/公告号CN104377167A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/77IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;7;7;;;H;0;1;L;2;7;/;1;2查看分类表>
申请人京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司申请人地址
北京市朝阳区酒仙桥路10号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人京东方科技集团股份有限公司,北京京东方光电科技有限公司当前权利人京东方科技集团股份有限公司,北京京东方光电科技有限公司
发明人史大为;郭建
代理机构北京银龙知识产权代理有限公司代理人许静;黄灿
摘要
本发明提供一种薄膜晶体管阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置,该阵列基板具有显示区域和非显示区域,该制作方法包括:在所述显示区域和非显示区域形成有源层以及覆盖所述有源层的缓冲层;在所述显示区域形成第一钝化层以及贯穿所述第一钝化层的过孔;在所述非显示区域形成刻蚀保护层,所述刻蚀保护层覆盖所述非显示区域的有源层及其上方的缓冲层;采用刻蚀工艺刻蚀掉未被所述第一钝化层和所述刻蚀保护层覆盖的缓冲层。本发明中,采用刻蚀工艺刻蚀缓冲层时,由于非显示区域的有源层被刻蚀保护层保护,因而不会被损伤,提高了产品的良率。

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