用于去除半导体封装件不良镀锡层的剥锡剂及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201811489161.6
IPC分类号：C23F1/40;C08H7/00
申请日期：
2018-12-06
申请人：
江苏矽研半导体科技有限公司

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专利名称	用于去除半导体封装件不良镀锡层的剥锡剂及其制备方法
申请号	CN201811489161.6	申请日期	2018-12-06
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2019-03-29	公开/公告号	CN109536965A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23F1/40 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23F 非机械方法去除表面上的金属材料（电浸蚀法加工金属入B23H；火焰法清除表层金属材料入B23K 7/00；用激光束加工金属入B23K 26/00）；金属材料的缓蚀；一般防积垢（电解或电泳法处理金属表面或金属覆层入C25D，C25F）；至少一种在C23大类中所列的方法及至少一种在C21D、C22F小类或者C25大类中所列的方法之多步法金属材料表面处理〔4〕 C23F1/00 金属材料的化学法蚀刻〔2〕 C23F1/10 蚀刻用组合物（C23F 1/44优先）〔4〕 C23F1/14 含水组合物〔4〕 C23F1/32 碱性组合物（C23F 1/42优先）〔4〕 C23F1/40 蚀刻其他金属材料用的〔4〕	IPC分类号	C;2;3;F;1;/;4;0;;;C;0;8;H;7;/;0;0查看分类表>
申请人	江苏矽研半导体科技有限公司	申请人地址	江苏省苏州市苏州工业园区星湖街218号生物纳米园A4-511室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	江苏矽研半导体科技有限公司	当前权利人	江苏矽研半导体科技有限公司
发明人	夏品军
代理机构	南京申云知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	王云

摘要

本发明涉及一种用于去除半导体封装件不良镀锡层的剥锡剂及其制备方法，剥锡剂由包括以下重量百分数的组分制备而成：强碱20‑45％、复合络合剂3‑8％、氧化剂0.1‑0.4％、铜的有机缓蚀剂0.2‑0.6％、表面活性剂0.2‑0.8％、稳定剂0.1‑0.5％、余量为水；所述的复合络合剂包括以下组分及重量份含量：改性木质素磺酸钠20‑35份、葡萄糖酸钠10‑15份、酒石酸钾钠6‑12份、乙二胺四甲叉磷酸钠5‑8份及椰子油二乙醇酰胺8‑15份。与现有技术相比，本发明剥锡剂不含有氟化物、硝酸等挥发性物质，在退镀过程中不会产生有毒的含氮氧化物气体，寿命长，能完全剥除印刷线路板表面的不良锡镀层，基本不产生淤泥或淤泥量很小，且退镀后底层完全光亮，不易失去光泽，污水排放量很少，对环境污染小。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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