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一种以二噻吩并吡咯为给电子中心的齐聚噻吩衍生物及其制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201810884253.8
  • IPC分类号:C07D495/14;C09K11/06;H01L51/54;H01L51/46
  • 申请日期:
    2018-08-06
  • 申请人:
    西安理工大学
著录项信息
专利名称一种以二噻吩并吡咯为给电子中心的齐聚噻吩衍生物及其制备方法
申请号CN201810884253.8申请日期2018-08-06
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2019-01-15公开/公告号CN109206436A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C07D495/14IPC分类号C;0;7;D;4;9;5;/;1;4;;;C;0;9;K;1;1;/;0;6;;;H;0;1;L;5;1;/;5;4;;;H;0;1;L;5;1;/;4;6查看分类表>
申请人西安理工大学申请人地址
陕西省西安市金花南路5号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人西安理工大学当前权利人西安理工大学
发明人段宗范;何刚;李康
代理机构北京国昊天诚知识产权代理有限公司代理人杨洲
摘要
本发明公开了一种以二噻吩并吡咯为给电子中心的齐聚噻吩衍生物及其制备方法,通过Stille交叉偶联反应,将中间体3‑溴‑7‑[5‑(4‑正己基苯基)‑2‑噻吩基]二苯并噻吩‑S,S‑二氧化物与中间体2,6‑二(三甲基锡)‑N‑(1,5‑二甲基己基)二噻吩并[3,2‑b:2',3'‑d]吡咯键联,合成了一种以(1,5‑二甲基己基)二噻吩并[3,2‑b:2',3'‑d]吡咯给电子单元为分子中心,以己基苯基噻吩基为端基给电子单元,以S,S‑二氧‑二苯并噻吩为嵌入受电子单元的给‑受型齐聚噻吩衍生物。该齐聚物的HOMO能级较低、能隙适中、热稳定性好、分子间存在一定的π‑π相互作用,是一种潜在的有机半导体新材料。

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