一种带内外电位保护环的肖特基二极管

1.一种提高带内外电位保护环的肖特基二极管产品良率的方法，其特征在于，上述带内外电位保护环的肖特基二极管，包括：
重掺杂硅衬底、轻掺杂外延层、轻掺杂区域以及保护介电层；
其中，所述轻掺杂外延层与所述重掺杂硅衬底具有相同导电性，且在所述轻掺杂外延层与所述重掺杂硅衬底中通过预设方法生成所述轻掺杂区域，其中，所述轻掺杂区域与所述重掺杂硅衬底具有相反导电性；
其中，在所述保护介电层中打开窗口，通过所述保护介电层形成与肖特基电极势垒层的阳极金属化，同时，所述保护介电层形成与肖特基电极势垒层的阴极金属化；
其中，所述轻掺杂区域包括：内部保护环、外部电势环以及内部保护环平行条纹，且在所述外部电势环的外延层还包括：附加电势环和N型限制环；
在所述轻掺杂区域中获取所述肖特基二极管的反向电流的工作过程，包括：
设定温度获取时间点，并根据所述温度获取时间点分别记录所述肖特基二极管在反向偏置时的工作温度值；
将所述工作温度值与所述肖特基二极管的载流子浓度进行一一对应，同时，对所述工作温度值与所述载流子浓度进行分析，并获取分析结果；
基于所述分析结果确定所述肖特基二极管在反向偏置时的反向电流的曲线趋势；
根据所述反向电流的曲线趋势确定反向电流曲线方程，同时，基于所述反向电流方程绘制反向电流曲线；
读取所述反向电流曲线，并确定所述反向电流的饱和值；
将所述反向电流的饱和值与预设电流值进行比较，确定所述肖特基二极管成品良率的程度；
当所述反向电流的饱和值小于所述预设电流值时，则判定所述肖特基二极管成品良率的程度为强；
当所述反向电流的饱和值等于所述预设电流值时，则判定所述肖特基二极管的成品良率的程度为中等；
反之，则判定所述肖特基二极管的成品良率为弱，同时，对所述N型限制环进行调整，降低所述肖特基二极管的反向电流的饱和值，直至所述肖特基二极管的反向电流的饱和值小于或等于所述预设电流值。
2.根据权利要求1所述的一种提高带内外电位保护环的肖特基二极管产品良率的方法，其特征在于，所述保护介电层由厚度为0.05‑0.5μm、氧浓度为5‑15wt％的半绝缘多晶硅层，厚度为0.05‑0.2μm的氮化硅和厚度为0.5‑2.0μm以及磷浓度为2‑7wt％的中温磷硅酸盐玻璃依次沉积而成。
3.根据权利要求1所述的一种提高带内外电位保护环的肖特基二极管产品良率的方法，其特征在于，所述附加电势环的工作过程，包括：
当所述肖特基二极管处于反向偏置时，所述附加电势环扩大表面结构，并基于扩大结果生成PN结耗尽区；
基于所述PN结耗尽区，降低所述肖特基二极管的横向电场强度，同时，增加所述肖特基二极管的反向电压。
4.根据权利要求2所述的一种提高带内外电位保护环的肖特基二极管产品良率的方法，其特征在于，
所述保护介电层中的半绝缘多晶硅层，用于用作电阻板，当肖特基二极管处于反向偏置时，基于所述电阻板将所述肖特基二极管的结构区域中的反向偏置电压均匀分布。
5.根据权利要求1所述的一种提高带内外电位保护环的肖特基二极管产品良率的方法，其特征在于，
所述保护介电层包括：半绝缘多晶硅层、氮化硅层、中温磷硅玻璃层；
通过所述保护介电层形成与肖特基电极势垒层的阳极金属化，同时，所述保护介电层形成与肖特基电极势垒层的阴极金属化的具体工作步骤，包括：
S101、根据化学气相沉积工艺形成所述半绝缘多晶硅层以及所述氮化硅层，并基于光刻法第一次淀积所述中温磷硅玻璃层；
S102、蚀刻所述半绝缘多晶硅层以及所述氮化硅层，同时基于光刻与局部蚀刻去除第一次积淀的所述中温磷硅玻璃层；
S103、根据光刻与蚀刻，去除目标氮化硅层以及目标半绝缘多晶硅层；
S104、根据所述光刻法第二次积淀所述中温磷硅玻璃层，并继续通过光刻与局部蚀刻去除第二次积淀的所述中温磷硅玻璃层，获取目标材料；
S105、基于等离子体溅射法，对所述目标材料进行光刻与离子刻蚀处理，并基于处理结果，形成与所述肖特基二极管势垒层阳极金属化欧姆接触以及与所述肖特基二极管势垒层阴极金属化欧姆接触。
6.根据权利要求1所述的一种提高带内外电位保护环的肖特基二极管产品良率的方法，其特征在于，在所述保护介电层中打开窗口后，还包括：
根据温度传感器获取所述肖特基二极管的周围温度，同时，根据预设采样时间点获取所述肖特基二极管的升温系数；
将所述周围温度以及所述升温系数转换为预设格式的信息数据，并基于所述信息数据生成信号串；
将所述信号串进行编码，并基于编码结果生成温度信号，并进行记录；
基于记录结果，确定所述温度信号的信号延时，同时，基于所述信号延时确定所述温度信号的时间窗；
根据所述时间窗确定所述温度信号在正交频率下的幅度值，并将所述幅度值与预设幅度阈值进行比较；
当所述幅度值小于或等于所述预设幅度阈值时，则判定所述肖特基二极管的工作温度正常；
否则，根据所述温度信号启动预设自保护措施对所述肖特基二极管进行降温，直至所述幅度值小于或等于所述预设幅度阈值。
7.根据权利要求6所述的一种提高带内外电位保护环的肖特基二极管产品良率的方法，其特征在于，获取所述温度信号后，还包括：
获取所述温度信号的第一信号特征函数，同时，获取目标温度信号的第二信号特征函数；
其中，所述目标温度信号为系统预先设定的；
根据所述第一信号特征函数与所述第二信号特征函数确定信号滤波矩阵；
基于所述信号滤波矩阵对所述温度信号进行信号滤波，并输出第一温度信号；
对所述第一温度信号进行反相处理，获取所述第一温度信号的差分放大值；
根据所述差分放大值确定放大输出节点，并基于所述放大输出节点对所述第一温度信号进行放大处理；
同时，基于处理结果生成第二温度信号，并将所述第二温度信号作为最终的温度信号。

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