形成抗反射涂层的方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200580042020.4
IPC分类号：G03F7/09;G03F7/075;C08G77/12;C09D183/04;C09D183/06
申请日期：
2005-09-29
申请人：
陶氏康宁公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	形成抗反射涂层的方法
申请号	CN200580042020.4	申请日期	2005-09-29
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2007-11-14	公开/公告号	CN101073039
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G03F7/09 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术〔4〕 G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备（照相排版装置入B41B；为摄影用的感光材料或处理入G03C；电记录、感光层或处理入G03G） G03F7/00 图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备（用于特殊工艺的光致抗蚀剂结构见相关的位置，例如，B44C，H01L，例如，H01L 21/00，H05K）〔3，5〕 G03F7/004 感光材料（G03F 7/12，G03F 7/14优先）〔5〕 G03F7/09 以细部结构为特征的，例如，基片层、辅助层（印刷版的基片层一般入B41N）〔5〕	IPC分类号	G;0;3;F;7;/;0;9;;;G;0;3;F;7;/;0;7;5;;;C;0;8;G;7;7;/;1;2;;;C;0;9;D;1;8;3;/;0;4;;;C;0;9;D;1;8;3;/;0;6查看分类表>
申请人	陶氏康宁公司	申请人地址	美国密执安变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	陶氏康宁公司	当前权利人	陶氏康宁公司
发明人	P-F·付;E·S·莫耶;C·R·耶克勒
代理机构	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人	张钦

摘要

一种在电子器件上形成抗反射涂层的方法，该方法包括：(A)施加ARC组合物到电子器件上，所述ARC组合物包括：(i)具有下述通式的倍半硅氧烷树脂：(PhSiO(3-x)/2(OH)x)mHSiO(3-x)/2(OH)x)n，其中Ph是苯基，x的数值为0、1或2；m的数值为0.05-0.95，n的数值为0.05-0.95，和m+n≈1；和(ii)溶剂；以及(B)除去溶剂，并固化倍半硅氧烷树脂，从而在电子器件上形成抗反射涂层。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供