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双层结构的非制冷红外焦平面阵列探测器

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201410025636.1
  • IPC分类号:G01J5/20
  • 申请日期:
    2014-01-21
  • 申请人:
    武汉高芯科技有限公司
著录项信息
专利名称双层结构的非制冷红外焦平面阵列探测器
申请号CN201410025636.1申请日期2014-01-21
法律状态驳回申报国家中国
公开/公告日2014-05-07公开/公告号CN103776546A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G01J5/20IPC分类号G;0;1;J;5;/;2;0查看分类表>
申请人武汉高芯科技有限公司申请人地址
湖北省武汉市东湖开发区黄龙山南路6号2号楼 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人武汉高芯科技有限公司当前权利人武汉高芯科技有限公司
发明人黄立;王大甲
代理机构武汉开元知识产权代理有限公司代理人唐正玉
摘要
本发明涉及一种双层结构的非制冷红外焦平面阵列探测器,所述探测器由衬底、桥面层、至少一个桥腿层组成,为双层结构:上层桥面层与和下层桥腿层;所述桥面层由红外热辐射吸收层和热敏感层组成;所述桥腿层由支撑层和金属导电层组成;所述桥面层和桥腿层位于上下两个、相互平行的平面上且通过电传导锚柱固定连接;所述桥腿层悬空在衬底之上且通过另一电传导锚柱与衬底连接;所述衬底为读出集成电路衬底,表面上设置有红外辐射反射层。本发明通过将非制冷红外探测器分置成双层结构来实现,能够有效地提高探测器单元的填充效率,从而增强对红外热辐射的吸收,并且折线桥腿结构能够有效地提高探测器的绝热能力,降低其热量损失,提高了整体探测性能。

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