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半导体芯片的制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200480035319.2
  • IPC分类号:H01L21/78;H01L21/68
  • 申请日期:
    2004-10-20
  • 申请人:
    3M创新有限公司
著录项信息
专利名称半导体芯片的制造方法
申请号CN200480035319.2申请日期2004-10-20
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2006-12-27公开/公告号CN1886831
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/78IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;7;8;;;H;0;1;L;2;1;/;6;8查看分类表>
申请人3M创新有限公司申请人地址
美国明尼苏达州 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人3M创新有限公司当前权利人3M创新有限公司
发明人野田一树;岩泽优
代理机构中原信达知识产权代理有限责任公司代理人林宇清;谢丽娜
摘要
提供一种用于制造半导体芯片的方法,包括,在透光支撑件上涂敷光致发热转换层,假如在照射辐射能时,光致发热转换层将辐射能转变为热量以及由于该热量分解;通过将电路表面和光致发热转换层放置为互相面对,通过光可固化的粘合剂层叠半导体晶片和透光支撑件,由此形成在外面具有非电路表面的层叠体;研磨半导体晶片的非电路表面,直到半导体晶片达到希望的厚度;从非电路表面侧切割该研磨的半导体晶片,以将它切割为多个半导体芯片;从该透光支撑件侧照射辐射能,以分解该光致发热转换层,由此分为具有粘结层和透光支撑件的半导体芯片,以及从半导体芯片选择性地除去粘结层。

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