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半导体陶瓷组合物和使用该组合物的半导体陶瓷元件

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN02106671.X
  • IPC分类号:--
  • 申请日期:
    1998-10-08
  • 申请人:
    株式会社村田制作所
著录项信息
专利名称半导体陶瓷组合物和使用该组合物的半导体陶瓷元件
申请号CN02106671.X申请日期1998-10-08
法律状态权利终止申报国家暂无
公开/公告日2003-02-19公开/公告号CN1397958
优先权暂无优先权号暂无
主分类号暂无IPC分类号暂无查看分类表>
申请人株式会社村田制作所申请人地址
日本京都府 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人株式会社村田制作所当前权利人株式会社村田制作所
发明人中山晃庆;石川辉伸;新见秀明;浦原良一;坂部行雄
代理机构上海专利商标事务所代理人余岚
摘要
公开了一种具有负电阻-温度特性的半导体陶瓷组合物,该组合物包括氧化钴镧作为主组分;选自Si、Zr、Hf、Ta、Sn、Sb、W、Mo、Te、Ce、Nb、Mn、Th和P元素的至少一种氧化物作为副组分;以及B的氧化物。该组合物的烧结密度高,由其制得的半导体陶瓷元件可用于防止骤增电流、用于延迟电动机启动,或者用于与温度补偿的晶体振荡器一起使用或用于温度补偿。

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