介质谐振器和使用介质谐振器的高频电路元件

1.一种以TM模激励的介质谐振器，包括：介质材料；围绕所述介 质材料的屏蔽腔；连接到该屏蔽腔以便自屏蔽腔外部穿透到内部的耦合 天线。
2.根据权利要求1的介质谐振器，其特征在于介质材料被制成纵向 延伸的柱体，所述的屏蔽腔被制成纵向延伸的中空形式，介质材料被固 定于所述的屏蔽腔中，以使其纵向沿着所述的屏蔽腔的纵向。
3.根据权利要求1的介质谐振器，其特征在于的耦合天线与同轴电 缆中心的导体连接。
4.根据权利要求1的介质谐振器，其特征在于的介质材料由支撑部 件固定于屏蔽腔中。
5.根据权利要求2的介质谐振器，其特征在于介质材料的纵向与在 垂直于纵向的宽度方向上的长度的比值为4.5或者更大的数值。
6.根据权利要求2的介质谐振器，其特征在于屏蔽腔内部的纵向长 度与介质材料的纵向长度的比值大于1.10。
7.根据权利要求2的介质谐振器，其特征在于介质材料在与纵向垂 直的宽度方向上的长度与屏蔽腔内部在与纵向垂直的宽度方向的长度的 比值为0.64或者更小的数值。
8.根据权利要求2的介质谐振器，其特征在于屏蔽腔内部的纵向上 的长度与介质材料的纵向长度的比值为1.27到2.04，其中介质材料在与 纵向垂直的宽度方向上的长度与屏蔽腔内部在与纵向垂直的宽度方向上 的长度的比值为0.60或更小的数值，其中介质材料是相对介电常数为40 到50的电介质陶瓷。
9.根据权利要求2的介质谐振器，其特征在于屏蔽腔内部的纵向长 度与介质材料的纵向长度的比值为1.56到2.0，其中介质材料在与纵向 垂直的宽度方向上的长度与屏蔽腔内部在与纵向垂直的宽度方向上的长 度的比值为0.64或者更小的数值，其中介质材料是相对介电常数为40到 50的电介质陶瓷。
10.根据权利要求2的介质谐振器，其特征在于屏蔽腔内部的纵向 长度与介质材料的纵向长度的比值为1.20到3.0，其中介质材料在与纵 向垂直的宽度方向上的长度与屏蔽腔内部在与纵向垂直的宽度方向上的 长度的比值为0.50或者更小的数值，其中的介质材料是相对介电常数为 32到37的电介质陶瓷。
11.根据权利要求2的介质谐振器，其特征在于屏蔽腔内部的纵向 长度与介质材料的纵向长度的比值为1.27到2.33，其中介质材料在与纵 向垂直的宽度方向上的长度与屏蔽腔内部在与纵向垂直的宽度方向上的 长度的比值为0.42或者更小的数值，其中介质材料是相对介电常数为32 到37的电介质陶瓷。
12.根据权利要求2的介质谐振器，其特征在于耦合天线连接到同 轴电缆中心的导体，其中耦合天线插入屏蔽腔中的部分沿着介质材料的 纵向延伸，该部分的顶端延伸到介质材料和屏蔽腔内表面间的位置。
13.根据权利要求2的介质谐振器，其特征在于耦合天线连接到同 轴电缆中心的导体，其中耦合天线插入屏蔽腔中的部分沿着介质材料的 纵向延伸，该部分的顶端延伸到在介质材料的纵向上形成的天线插入孔 中。
14.根据权利要求1的介质谐振器，其特征在于耦合天线为线状形 式，其中耦合天线插入屏蔽腔中的部分具有延伸到线状形式耦合天线之 外的导体耦合体，以变得大于耦合天线的导线直径，其中耦合体或者至 少部分耦合体具有不大于导线直径的厚度。
15.根据权利要求1的介质谐振器，其特征在于耦合天线为线状形 式，其中耦合天线插入屏蔽腔中的部分具有大于耦合天线导线直径的片 状形式的耦合体，其中耦合体为导体，耦合体的至少一部分具有不大于 导线直径的厚度。
16.根据权利要求15的介质谐振器，其特征在于片状耦合体的厚度 不大于导线的直径。
17.根据权利要求15的介质谐振器，其特征在于耦合体具有多个片 状部分。
18.根据权利要求15的介质谐振器，其特征在于介质材料被制成纵 向延伸的柱体，所述的屏蔽腔被制成纵向延伸的中空形式，介质材料被 固定于屏蔽腔中，以使其纵向沿着屏蔽腔的纵向，其中片状形式的部分 被设置于介质材料垂直于纵向的端面与屏蔽腔的内表面之间，以使片状 形式的部分的片状表面在介质材料的纵向上定向。
19.根据权利要求15的介质谐振器，其特征在于介质材料被制成纵 向延伸的柱体，所述的屏蔽腔被制成纵向延伸的中空形式，介质材料被 固定于屏蔽腔中，以使其纵向沿着屏蔽腔的纵向，其中片状形式部分被 设置在介质材料纵向表面与屏蔽腔的内表面之间，以使片状形式部分的 片状表面在介质材料的纵向上定向。
20.一种高频电路元件，包括可以在TM模激励的介质谐振器，该 高频电路元件具有：用作谐振部件的介质材料；围绕所述介质材料的屏 蔽腔；和由耦合天线形成的输入/输出通信路径。
21.根据权利要求20的高频电路元件，其特征在于介质材料被制成 纵向延伸的柱体，所述的屏蔽腔被制成纵向延伸的中空形式，介质材料 被固定于屏蔽腔中，以使其纵向沿着屏蔽腔的纵向。
22.根据权利要求20的高频电路元件，其特征在于耦合天线与同轴 电缆中心的导体连接。
23.根据权利要求20的高频电路元件，其特征在于介质材料由支撑 部件固定于屏蔽腔中。
24.根据权利要求20的高频电路元件，其特征在于介质材料在纵向 的长度与在垂直于纵向的宽度方向上的长度的比值为4.5或者更大的数 值。
25.根据权利要求21的高频电路元件，其特征在于屏蔽腔内部的纵 向长度与介质材料1的纵向长度的比值大于1.10。
26.根据权利要求21的高频电路元件，其特征在于介质材料在与纵 向垂直的宽度方向上的长度与屏蔽腔内部在与纵向垂直的宽度方向的长 度的比值为0.64或者更小的数值。
27.根据权利要求21的高频电路元件，其特征在于屏蔽腔内部在纵 向上的长度与介质材料的纵向长度的比值为从1.27到2.04，其中介质材 料在与纵向垂直的宽度方向上的长度与屏蔽腔内部在与纵向垂直的宽度 方向上的长度的比值为0.60或更小的数值，其中的介质材料是相对介电 常数为40到50的电介质陶瓷。
28.根据权利要求21的高频电路元件，其特征在于屏蔽腔内部的纵 向长度与介质材料的纵向长度的比值为1.56到2.0，其中介质材料在与 纵向垂直的宽度方向上的长度与屏蔽腔内部在与纵向垂直的宽度方向上 的长度的比值为0.64或者更小的数值，其中介质材料是相对介电常数为 40到50的电介质陶瓷。
29.根据权利要求21的高频电路元件，其特征在于屏蔽腔内部的纵 向长度与介质材料的纵向长度的比值为1.20到3.0，其中介质材料在与 纵向垂直的宽度方向上的长度与屏蔽腔内部在与纵向垂直的宽度方向上 的长度的比值为0.50或者更小的数值，其中介质材料是相对介电常数为 32到37的电介质陶瓷。
30.根据权利要求21的高频电路元件，其特征在于屏蔽腔内部的纵 向长度与介质材料的纵向长度的比值为1.27到2.33，其中介质材料在与 纵向垂直的宽度方向上的长度与屏蔽腔内部在与纵向垂直的宽度方向上 的长度的比值为0.42或者更小的数值，其中介质材料是相对介电常数为 32到37的电介质陶瓷。
31.根据权利要求21的高频电路元件，其特征在于耦合天线连接到 同轴电缆中心的导体，其中耦合天线插入屏蔽腔中的部分沿着介质材料 的纵向延伸，该部分的顶端延伸到介质材料和屏蔽腔内表面之间的位置。
32.根据权利要求21的高频电路元件，其特征在于的耦合天线连接 到同轴电缆中心的导体，其中耦合天线插入屏蔽腔中的部分沿着介质材 料的纵向延伸，该部分的顶端延伸到在介质材料的纵向上形成的天线插 入孔中。
33.根据权利要求20的高频电路元件，其特征在于耦合天线为线状 形式，其中耦合天线插入屏蔽腔中的部分具有延伸到线状形式耦合天线 之外的导体耦合体，以变得大于耦合天线的导线直径，其中耦合体或者 至少部分耦合体具有不大于导线直径的厚度。
34.根据权利要求20的高频电路元件，其特征在于耦合天线为线状 形式，其中耦合天线插入屏蔽腔中的部分具有大于耦合天线导线直径的 片状形式的耦合体，其中耦合体为导体，耦合体的至少一部分具有不大 于导线直径的厚度。
35.根据权利要求34的高频电路元件，其特征在于片状耦合体的厚 度不大于导线的直径。
36.根据权利要求34的高频电路元件，其特征在于耦合体具有多个 片状部分。
37.根据权利要求34的高频电路元件，其特征在于介质材料被制成 纵向延伸的柱体，所述的屏蔽腔被制成纵向延伸的中空形式，介质材料 被固定于屏蔽腔中，以使其纵向沿着屏蔽腔的纵向，其中片状形式的部 分被设置于介质材料垂直于纵向的端面与屏蔽腔的内表面之间，以使片 状形式的部分的片状表面在介质材料的纵向上定向。
38.根据权利要求34的高频电路元件，其特征在于介质材料被制成 纵向延伸的柱体，其中所述的屏蔽腔被制成纵向延伸的中空形式，其中 介质材料被固定于屏蔽腔中，以使其纵向沿着屏蔽腔的纵向，其中片状 形式部分被设置于介质材料纵向的表面与屏蔽腔的内表面之间，以使片 状形式部分的片状表面在介质材料的纵向上定向。

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