一种基于阈值电压类型匹配的6-T存储单元抗总剂量加固方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201911212779.2
IPC分类号：G06F30/33;G06F30/398
申请日期：
2019-11-30
申请人：
中国科学院新疆理化技术研究所

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法律信息

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著录项信息

专利名称	一种基于阈值电压类型匹配的6-T存储单元抗总剂量加固方法
申请号	CN201911212779.2	申请日期	2019-11-30
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2020-04-14	公开/公告号	CN111008506A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G06F30/33	IPC分类号	G;0;6;F;3;0;/;3;3;;;G;0;6;F;3;0;/;3;9;8查看分类表>
申请人	中国科学院新疆理化技术研究所	申请人地址	新疆维吾尔自治区乌鲁木齐市北京南路40号附1号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院新疆理化技术研究所	当前权利人	中国科学院新疆理化技术研究所
发明人	郑齐文;崔江维;余学峰;陆妩;孙静;李豫东;郭旗
代理机构	乌鲁木齐中科新兴专利事务所（普通合伙）	代理人	张莉

摘要

本发明涉及一种基于阈值电压类型匹配的6‑T存储单元抗总剂量加固方法，该方法包括晶体管总剂量辐照试验、建立晶体管辐射损伤与阈值电压类型映射关系、确定上拉PMOSFET阈值电压类型、确定下拉NMOSFET及传输NMOSFET阈值电压类型、电路仿真验证。该方法的理论基础是不同阈值电压类型晶体管的辐射损伤程度不同。该方法的优势在于无需改变制造工艺条件以及版图设计，实现6‑T存储单元低成本、高性能的抗总剂量加固。

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