一种在氧化焰气氛下低温制备青瓷釉料的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202010745195.8
IPC分类号：C03C8/16;C04B41/86
申请日期：
2020-07-29
申请人：
武汉理工大学;绍兴市上虞区理工高等研究院

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专利名称	一种在氧化焰气氛下低温制备青瓷釉料的方法
申请号	CN202010745195.8	申请日期	2020-07-29
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2020-10-23	公开/公告号	CN111807703A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C03C8/16 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C03 玻璃；矿棉或渣棉 C03C 玻璃、釉或搪瓷釉的化学成分；玻璃的表面处理；由玻璃、矿物或矿渣制成的纤维或细丝的表面处理；玻璃与玻璃或与其他材料的接合 C03C8/00 搪瓷；釉（陶瓷用冷釉入C04B 41/86）；含有非熔块添加剂的玻璃料熔封成分〔4〕 C03C8/14 含有非熔块添加剂的玻璃熔块混合物，例如乳浊剂、着色剂、球磨添加物〔4〕 C03C8/16 含有载体或悬浮剂，例如料浆〔4〕	IPC分类号	C;0;3;C;8;/;1;6;;;C;0;4;B;4;1;/;8;6查看分类表>
申请人	武汉理工大学;绍兴市上虞区理工高等研究院	申请人地址	湖北省武汉市洪山区珞狮路122号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	武汉理工大学,绍兴市上虞区理工高等研究院	当前权利人	武汉理工大学,绍兴市上虞区理工高等研究院
发明人	徐晓虹;陈元彪;吴建锋;刘星;邹腊年
代理机构	武汉科皓知识产权代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	吴艳姣

摘要

一种在氧化焰气氛下低温制备青瓷釉料的方法，所述青瓷釉料的制备步骤包括原料处理、釉浆制备、施釉和烧成，所述原料及其配比为：透明熔块90～92wt％、苏州土8～10wt％，原料中加入添加剂及其配比为：羧甲基纤维素钠0.2～0.4wt％、多聚磷酸钠0.2～0.4wt％、氧化铬0.1～0.3wt％；所述烧成温度为1080～1120℃，烧成气氛为空气气氛。本发明制备的青瓷釉料能耗低。与传统的青瓷釉料采用多种矿物原料相比，本发明的青瓷釉在1080～1120℃下即可烧成，可降低青瓷釉烧成过程中的能耗；青瓷釉料在氧化焰气氛下烧成，烧成制度稳定可控，操作简单，而且得到的釉料呈色稳定，易于生产控制。

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