增加偶合比的非挥发性存储装置及其制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN01110317.5
IPC分类号：H01L27/115;H01L21/82;H01L21/8247
申请日期：
2001-04-03
申请人：
华邦电子股份有限公司

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专利名称	增加偶合比的非挥发性存储装置及其制造方法
申请号	CN01110317.5	申请日期	2001-04-03
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2002-11-13	公开/公告号	CN1379476
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L27/115 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L27/00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L 25/00）〔2，8〕 H01L27/02 包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的〔2〕 H01L27/04 其衬底为半导体的〔2〕 H01L27/10 在重复结构中包括有多个独立组件的〔2〕 H01L27/105 包含场效应组件的〔5〕 H01L27/112 只读存储器结构的〔5〕 H01L27/115 电动编程只读存储器；其多步骤制造方法〔5，2006.01，2017.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;;;H;0;1;L;2;1;/;8;2;;;H;0;1;L;2;1;/;8;2;4;7查看分类表>
申请人	华邦电子股份有限公司	申请人地址	台湾新竹科学工业园区研新三路四号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	华邦电子股份有限公司	当前权利人	华邦电子股份有限公司
发明人	胡钧屏
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司	代理人	王学强

摘要

一种通过增加电容面积以增加控制栅对浮栅的偶合比的存储装置以及制造的方法，是由增加控制栅与浮栅的重叠区来达到的。一种增加偶合比的非挥发性存储装置包括一具有多数隔离区的基底，一第一导电层形成在基底与隔离区上，第一导电层的一对侧壁以垂直的方式形成在每一个隔离区上，此垂直的侧壁是通过一已蚀刻出具有垂直边的介电层罩幕而形成。一第二导电层形成在第一导电层上，第二导电层以界面隔离第一导电层以增加表面积，进而增加偶合比，一内导电介电层形成在第一与第二导电层中间，内导电介电层形成在第一与第二导电层中间，内导电介电层包括第一层与第二层的二氧化硅层，及位于中间的氮化硅层。

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