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透明导电膜层叠体及其制造方法、以及薄膜太阳能电池及其制造方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201380058230.7
  • IPC分类号:C23C14/08;B32B9/00;H01B5/14;H01B13/00;H01L31/04
  • 申请日期:
    2013-10-11
  • 申请人:
    住友金属矿山株式会社
著录项信息
专利名称透明导电膜层叠体及其制造方法、以及薄膜太阳能电池及其制造方法
申请号CN201380058230.7申请日期2013-10-11
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2016-02-03公开/公告号CN105308206A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C23C14/08IPC分类号C;2;3;C;1;4;/;0;8;;;B;3;2;B;9;/;0;0;;;H;0;1;B;5;/;1;4;;;H;0;1;B;1;3;/;0;0;;;H;0;1;L;3;1;/;0;4查看分类表>
申请人住友金属矿山株式会社申请人地址
日本东京都 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人住友金属矿山株式会社当前权利人住友金属矿山株式会社
发明人曾我部健太郎;山野边康德;松村文彦
代理机构北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)代理人刘新宇;李茂家
摘要
本发明提供在制造高效率的硅系薄膜太阳能电池时作为表面电极有用的、光吸收率低、并且光学限制效果也优异的透明导电膜层叠体和其制造方法、以及使用该透明导电膜层叠体的薄膜太阳能电池和其制造方法。制成一种透明导电膜层叠体,具有如下结构:在透光性基板上在表面粗糙度(Ra)为1.0nm以下的状态下形成的氧化铟系透明导电膜(I)、和在氧化铟系透明导电膜(I)上形成的氧化锌系透明导电膜(II),作为层叠体的表面粗糙度(Ra)为30nm以上、且雾度率为8%以上、并且电阻值为30Ω/□以下,对于波长400nm~1200nm的范围的光的吸收率以平均值计为15%以下。

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