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一种磁存储介质数据销毁效果检测方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201310281041.8
  • IPC分类号:G11B5/024;G01R33/12
  • 申请日期:
    2013-07-05
  • 申请人:
    中国电子科技集团公司第三十研究所
著录项信息
专利名称一种磁存储介质数据销毁效果检测方法
申请号CN201310281041.8申请日期2013-07-05
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2013-11-20公开/公告号CN103400586A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G11B5/024IPC分类号G;1;1;B;5;/;0;2;4;;;G;0;1;R;3;3;/;1;2查看分类表>
申请人中国电子科技集团公司第三十研究所申请人地址
四川省成都市高新区创业路6号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国电子科技集团公司第三十研究所当前权利人中国电子科技集团公司第三十研究所
发明人温柏龙;张剑;刘晓毅;易涛;齐伟钢;黄旭
代理机构成都九鼎天元知识产权代理有限公司代理人徐宏
摘要
本发明涉及磁存储介质技术领域,本发明公开了一种磁存储介质数据销毁效果检测方法,其具体包括以下步骤:取记录了数据的磁存储介质作为被测样件,先得到被测样件的磁化强度,再将被测样件进行消磁,得到被测样件消磁后的磁化强度,然后根据消磁前后的磁化强度计算出消磁系数γ,最后根据消磁系数γ判断磁存储介质上数据销毁的程度。将读取数据时磁头读取的峰值电压转化为可以测量到的磁化强度,在消磁前后,分别测量磁存储介质的磁化强度,并设定消磁前后磁化强度比值的磁化系数公式,从而根据公式定量地计算出磁存储介质上数据销毁的效果。

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