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金属膜形成用前驱体组合物、利用上述前驱体组合物的金属膜形成方法以及包含上述金属膜的半导体元件

发明专利有效专利

申请号：
CN201980079464.7
IPC分类号：C23C16/18;C23C16/455;C07F7/00;H01L21/02;H01L21/285;H01L29/51;C23C16/50;C23C16/48;C23C16/448
申请日期：
2019-12-06
申请人：
思科特利肯株式会社

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	金属膜形成用前驱体组合物、利用上述前驱体组合物的金属膜形成方法以及包含上述金属膜的半导体元件
申请号	CN201980079464.7	申请日期	2019-12-06
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-09-21	公开/公告号	CN113423862A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C16/18 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C16/00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积（CVD）工艺（反应溅射或真空蒸发入C23C 14/00）〔4〕 C23C16/06 以金属材料的沉积为特征的〔4〕 C23C16/18 自有机金属化合物〔4〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;6;/;1;8;;;C;2;3;C;1;6;/;4;5;5;;;C;0;7;F;7;/;0;0;;;H;0;1;L;2;1;/;0;2;;;H;0;1;L;2;1;/;2;8;5;;;H;0;1;L;2;9;/;5;1;;;C;2;3;C;1;6;/;5;0;;;C;2;3;C;1;6;/;4;8;;;C;2;3;C;1;6;/;4;4;8查看分类表>
申请人	思科特利肯株式会社	申请人地址	韩国世宗市变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	思科特利肯株式会社	当前权利人	思科特利肯株式会社
发明人	洪畅成;朴容主;吴太勳;黄仁天;李相京;金桐显
代理机构	北京铭硕知识产权代理有限公司	代理人	姜长星;李盛泉

摘要

本发明涉及一种金属膜形成用前驱体组合物，其特征在于：包括以化学式1至化学式3中的任意一个表示的锆化合物以及以化学式4至化学式6中的某一个表示的铪化合物。

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