交直流电源两用桥式照明发光二极管及制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200410022763.2
IPC分类号：H01L33/00;H01L27/15;H01L25/075
申请日期：
2004-06-10
申请人：
颜怀玮

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	交直流电源两用桥式照明发光二极管及制造方法
申请号	CN200410022763.2	申请日期	2004-06-10
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2005-02-23	公开/公告号	CN1585142
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;0;0;;;H;0;1;L;2;7;/;1;5;;;H;0;1;L;2;5;/;0;7;5查看分类表>
申请人	颜怀玮	申请人地址	江苏省昆山周市镇顺昶路135号3幢变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	一统光电(江苏)有限公司	当前权利人	一统光电(江苏)有限公司
发明人	颜晓川;易敏;颜怀玮;颜怀璞;颜怀瑨;颜怀琦;颜怀璋;颜怀黔
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

一种交直流电源两用桥式照明发光二极管及制造方法，其特征是用具备4个独立的发光PN结的复合芯片或用4个单一PN结芯片组成单元桥式芯片，每个芯片引出4个接线脚，对需通过荧光转化光质的PN结、在其周围涂覆与其相适应的荧光材料、环氧树脂封接。选用于交流或直流电路中，供作各种照明发光灯具及其它光源使用，每个发光二极管或每个单元桥式发光PN结芯片集成电路单独应用或多个串联、并联或串联、并联组合应用。具有使用寿命长、使用灵活安全、维护方便、使用成本低等系列重大优点，尤其是其能完整利用廉价交流电的正、负半周电能和可串联组合并省去体大笨重价昂的变压器而直接应用于照明交流电路中，这为第四代即白色LED照明开拓了广阔应用空间与市场。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供