利用注入和横向扩散制造碳化硅功率器件的自对准方法

发明专利无效专利

申请号：
CN99807102.1
IPC分类号：--
申请日期：
1999-06-07
申请人：
克里公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	利用注入和横向扩散制造碳化硅功率器件的自对准方法
申请号	CN99807102.1	申请日期	1999-06-07
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2001-07-18	公开/公告号	CN1304551
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	克里公司	申请人地址	美国北卡罗来纳州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	克里公司	当前权利人	克里公司
发明人	A·V·苏沃罗夫;J·W·帕尔穆尔;R·辛格
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	陈霁;张志醒

摘要

通过掩模中的开口在碳化硅衬底中注入p型掺杂剂，形成深p型注入，从而制造碳化硅功率器件。N型掺杂剂通过掩模中相同开口注入到碳化硅衬底中，相对于深p型注入形成浅n型注入。以足以使深p型注入横向扩散到包围浅n型注入的碳化硅衬底表面的温度和时间，进行退火，同时不使p型注入通过浅n型注入纵向扩散到碳化硅衬底表面。因此，通过离子注入可以进行自对准浅和深注入，通过促使具有高扩散系数的p型掺杂充分扩散，同时具有低扩散系数的n型掺杂剂保持相对固定的退火，可以形成很好控制的沟道。因此，可以在n型源周围形成p-基区。可以制造横向和纵向功率MOSFETs。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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