高压覆晶LED结构及其制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201310002699.0
IPC分类号：H01L33/00;H01L27/15;H01L33/36
申请日期：
2013-01-05
申请人：
海立尔股份有限公司

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著录项信息

专利名称	高压覆晶LED结构及其制造方法
申请号	CN201310002699.0	申请日期	2013-01-05
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2014-07-09	公开/公告号	CN103915530A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;0;0;;;H;0;1;L;2;7;/;1;5;;;H;0;1;L;3;3;/;3;6查看分类表>
申请人	海立尔股份有限公司	申请人地址	中国台湾新竹县竹东镇大明路276号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	海立尔股份有限公司	当前权利人	海立尔股份有限公司
发明人	陈明鸿;许世昌
代理机构	北京中原华和知识产权代理有限责任公司	代理人	寿宁

摘要

本发明是有关于一种高压覆晶LED结构及其制造方法，其中制造方法包括下列步骤提供芯片基板；沉积第一钝化层；形成共电连层；沉积第二钝化层；沉积镜面层；蚀刻两导电通道；以及设置两接合金属层。芯片基板包括蓝宝石基板及其上的多个LED芯片，在形成第一钝化层后形成全透明的共电连层使LED芯片彼此电性串联。接着，沉积第二钝化层成为平坦的钝化表面，借此让形成于其上的镜面层能具有相同的水平高度，使反射出的光线不具有光程差。最后设置接合金属层以供导电。本发明可得到全透明电极且出光不具光程差的高压覆晶LED结构。

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