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一种发光二极管及其制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201810029288.3
  • IPC分类号:H01L33/14;H01L33/00
  • 申请日期:
    2018-01-12
  • 申请人:
    厦门乾照光电股份有限公司
著录项信息
专利名称一种发光二极管及其制备方法
申请号CN201810029288.3申请日期2018-01-12
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2018-09-21公开/公告号CN108565320A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L33/14IPC分类号H;0;1;L;3;3;/;1;4;;;H;0;1;L;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人厦门乾照光电股份有限公司申请人地址
福建省厦门市火炬高新区(翔安)产业区翔天路259-269号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人厦门乾照光电股份有限公司当前权利人厦门乾照光电股份有限公司
发明人林志伟;陈凯轩;李俊贤;卓祥景;吴奇隆
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司代理人骆宗力;王宝筠
摘要
本申请公开了一种发光二极管及其制备方法,其中,所述发光二极管的外延结构的第一型导电层包括至少两个子导电层,并且每两个子导电层之间还设置有电流阻挡层,这些子导电层和电流阻挡层堆叠设置,使得子导电层之间具有一定的高度差;另外,所述发光二极管的第一电极包括种类与子导电层相匹配的第一型扩展电极,每类第一型扩展电极通过沟槽实现与一个子导电层的电连接,而由于子导电层之间具有一定的高度差及电阻差,且存在着一定的电流阻挡效果,有效引导流出第一型扩展电极的电流更大范围的横向扩展,有利于引导电流在第一型扩展电极与相邻的第二型扩展电极之间的合理分布,从而降低发光二极管的电流拥挤,从而提升发光二极管发光效率。

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