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专利名称 | 非晶形沉淀氧化硅 |
申请号 | CN97195139.X | 申请日期 | 1997-04-24 |
法律状态 | 权利终止 | 申报国家 | 暂无 |
公开/公告日 | 1999-06-23 | 公开/公告号 | CN1220647 |
优先权 | 暂无 | 优先权号 | 暂无 |
主分类号 | 暂无 | IPC分类号 | 暂无查看分类表>
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申请人 | PPG工业公司 | 申请人地址 | 美国俄亥俄
变更
专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效 |
权利人 | PPG工业俄亥俄公司 | 当前权利人 | PPG工业俄亥俄公司 |
发明人 | J·L·伯伊尔;T·G·克里瓦克 |
代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 龙传红 |
摘要
可以用于形成蓄电池隔板的具有非常低的收缩率的非晶形沉淀氧化硅,其特征在于:(a)其BET表面积为60-200平方米/克;(b)其CTAB表面积为40-150平方米/克;(c)其DBP吸油率为180-300立方厘米/100克;(d)其平均终颗粒尺寸为20-30纳米;(e)其总浸入体积为2.5-4立方厘米/克;(f)对于直径为20-100纳米的孔隙,其浸入体积为0.3-1.2立方厘米/克;以及(g)其体积孔隙尺寸分布函数最大值的孔隙直径为30-200纳米。
1.非晶形沉淀氧化硅,其特征在于:
(a)其BET表面积为60-200平方米/克;
(b)其CTAB表面积为40-150平方米/克;
(c)其DBP吸油率为180-300立方厘米/100克;
(d)其平均终颗粒尺寸为20-30纳米;
(e)其总浸入体积为2.5-4立方厘米/克;
(f)对于直径为20-100纳米的孔隙,其浸入体积为0.3-1.2立 方厘米/克;
(g)其体积孔隙尺寸分布函数最大值的孔隙直径为30-200纳米; 和
(h)其机器方向的收缩率小于3%。
2.权利要求1所说的非晶形沉淀氧化硅,其特征在于其机器方向的收 缩率小于2%。
3.权利要求1所说的非晶形沉淀氧化硅,其特征在于其横向收缩率小 于3%。
4.权利要求1所说的非晶形沉淀氧化硅,其特征在于其横向收缩率小 于2%。
5.权利要求1所说的非晶形沉淀氧化硅,其特征在于其横向收缩率小 于1%。
6.权利要求1所说的非晶形沉淀氧化硅,其特征在于其CTAB表面积 为50-130平方米/克。
7.权利要求1所说的非晶形沉淀氧化硅,其特征在于:
(a)其BET表面积为80-180平方米/克;
(b)其CTAB表面积为60-120平方米/克;
(c)其DBP吸油率为180-260立方厘米/100克;
(d)其平均终颗粒尺寸为24-27纳米;
(e)其总浸入体积为2.5-3.4立方厘米/克;
(f)对于直径为20-100纳米的孔隙,其浸入体积为0.4-0.8立 方厘米/克;
(g)其体积孔隙尺寸分布函数的最大值的孔隙直径为45-130纳米,
(h)其机器方向的收缩率小于2%,和
(i)其横向收缩率小于1%。
非晶形沉淀氧化硅用作微孔聚合蓄电池隔板的部件是人们已知的。例 如参见US3351495,3696061,3798294,4024323,4210709, 4237083,4331622,4335193,4648417,4681750和4734229。对 于蓄电池隔板来说,其最为重要的特点是其高度的尺寸稳定性。蓄电池隔 板的尺寸稳定性由多个因素决定,包括但不限于制造材料本身及其比例、 其物理尺寸(其中厚度特别重要)、孔隙率和孔隙的类型和数量。\n现已发现可以用于形成具有非常低的收缩率的蓄电池隔板的非晶形 沉淀氧化硅。因此本发明的非晶形沉淀氧化硅,其特征在于(a)其BET 表面积为60-200平方米/克;(b)其CTAB表面积为40-150平方 米/克;(c)其DBP吸油率为180-300立方厘米/100克;(d)其平 均终颗粒尺寸为20-30纳米;(e)其总浸入体积为2.5-4立方厘米 /克;(f)对于直径为20-100纳米的孔隙,其浸入体积为0.3-1.2 立方厘米/克;以及(g)其体积孔隙尺寸分布函数最大值的孔隙直径为 30-200纳米。\n虽然这两种均是氧化硅,但重要的是将非晶形沉淀氧化硅与硅胶区别 开,因为这些不同的材料具有不同的性能。可以参见R.K.Iler,氧化硅化学, John Wiley & Sons,New York(1979),国会图书馆目录号No.QD 181.S6144。特别是参见其中的P15-29、172-176、218-233、 364-365、462-465、554-564和578-579。\n硅胶通常通过用酸酸化可溶金属硅酸盐,一般是硅酸钠的水溶液而在 低pH值下工业化生产得到。所用的酸通常是一种强无机酸,如硫酸或盐 酸,尽管有时也可采用二氧化碳。由于凝胶相与周围的液相之间比重基本 上没有差别,尽管粘度较低,但凝胶相不会析出,也就是说不会沉淀出来。 硅胶可以说成是一种不会沉淀的、粘滞的、刚性的、胶态非晶形氧化硅相 连颗粒的三维网络。亚分散的状态由较大的固体到亚微观的颗粒,并且水 合的程度由几乎无水的氧化硅到松软的含有100份水/份氧化硅重量的凝 胶,虽然很少采用其高度水化的形式。\n非晶形沉淀氧化硅通常通过将可溶金属硅酸盐(一般是碱金属硅酸 盐,如硅酸钠)和酸组合在一起而制备,从而在弱碱性溶液中使胶体颗粒 长大并且通过所形成的可溶解的碱金属硅酸盐的碱金属离子而凝结。可以 采用多种酸,包括无机酸和/或二氧化碳。在无促凝剂的情况下,氧化硅 不会在任何pH下从溶液中沉淀出来。用来进行沉淀的促凝剂可以是在形 成胶体氧化硅颗粒过程中产生的可溶碱金属盐,可以是加入的电解质,如 可溶的无机或有机盐,也可以是两者的结合。\n非晶形沉淀氧化硅可以说成是胶体非晶形氧化硅最终颗粒的沉淀集 合体,该氧化硅在制备过程中任何时刻均不能作为宏观凝胶存在。集合体 的尺寸和水合的程度可以在较大范围内变化。\n非晶形沉淀氧化硅粉末与以通常方式粉末化、具有更多的开放结构, 即较高的比孔体积的硅胶不同。但是,采用氮作为吸附物、用Brunauer, Emmett,Teller(BET)方法测得的沉淀氧化硅的比表面积常常低于硅胶 的。\n生产过程中参数和/或条件的变化会使所产生的沉淀氧化硅的类型发 生变化。虽然它们从广义上来说均是非晶形沉淀氧化硅,但是,各种非晶 形沉淀氧化硅常常在物理性能以及有时在化学性能上存在明显不同,这些 性能上的差异是很重要的,它们常常使其中的某一种特别适用于特定的目 的,又能兼用于另一种目的,而另一种特别适用于其它的目的,又能兼用 于第一种目的。\n本发明的非晶形沉淀氧化硅的BET表面积为60-200平方米/克。 优选的为80-180平方米/克。当用于本发明的说明书及权利要求书时, 非晶形沉淀氧化硅的BET表面积是根据ASTM C 819-77采用氮作为 吸附物、用Brunauer,Emmett,Teller(BET)方法测得的表面积,但是, 其不同之处在于将系统和样品在180℃下排气1小时。\n本发明的非晶形沉淀氧化硅的CTAB表面积可以变化,但是,在绝 大多数情况下,其CTAB表面积为40-150平方米/克。CTAB表面积 常常为50-130平方米/克。优选地为60-120平方米/克。当用于本发 明的说明书和权利要求书中时,非晶形沉淀氧化硅的CTAB表面积是根 据下列过程测得的CTAB表面积:采用上部加料天平,称量11.0克十六 烷基三甲基溴化铵(也称为CTAB和十六烷基三甲基溴化铵),[CAS 57 -09-0]至最接近十分之一毫克并且记录该重量C,用克表示。在容量 瓶中将称出的CTAB溶解在蒸馏水中并且用蒸馏水稀释至2升,形成标 准的CTAB溶液,在使用前将该溶液在黑暗中存放至少12天。采用上部 加料天平,秤出3.70克AerosolOT二(2-乙基己基)硫代琥珀酸钠 [CAS 577-11-7](American Cyanamid Co.,Wayne,NJ)。在容量 瓶中将称出的AerosolOT二(2-乙基己基)硫代琥珀酸钠溶解在蒸 馏水中并且用蒸馏水稀释至2升,形成标准的AerosolOT溶液,在使 用前将该溶液在黑暗中存放至少12天。制备后标准的CTAB溶液和标准 的AerosolOT溶液的适用存放时间为2个月。采用滴定管,将10.0毫 升CTAB标准溶液转移到250毫升带有搅拌棒的锥形烧瓶中。而后向该 烧瓶中加入30毫升氯仿,50毫升蒸馏水、15滴0.02%溴酚兰指示水溶 液以及1滴1N氢氧化钠水溶液。在剧烈搅拌但最少飞溅的同时,用来自 50毫升滴定管的标准的AerosolOT溶液滴定出锥形烧瓶中的内容物, 以快速滴定速度开始滴定(关闭阀从不完全敞开)至大约25-30毫升, 而后更为缓慢地滴定至终点,该终点发生在约37.5毫升处。靠近终点时 的特征在于整体出现奶状兰色。而后当更接近终点时,底部的氯仿层变成 深兰色,而上部含水层变成丁香色或紫色。就在终点前,整个混合物变成 透明状(即不再为“乳状”)并且底层变成很深的兰色。采用洗涤瓶,将 烧瓶内部用不到25毫升的蒸馏水冲洗。增加搅拌速度,以恢复剧烈混合, 从而使两种液相有效接触。在终点之前,在每一次滴加滴定液之后至少隔 开10秒钟。经常停止搅拌,以使物相分开,从而使分析人员搞清楚颜色 的变化,而后恢复剧烈搅拌。在终点时,底部物相完全没有颜色并且呈现 出无色或乳白色的外观,而上层物相是深紫色。将该过程至少进行两次并 且记录每一次滴定所用的标准AerosolOT溶液的平均体积,V1。将200 毫升宽嘴玻璃瓶称重并且将大约0.500克氧化硅试样(处于接收时的状 态,未干燥)放在该瓶中并称量至接近0.1毫克。记录该氧化硅样品的重 量,S。将100毫升标准的CTAB溶液移到该瓶中并且小心地加入搅拌 棒。由于与100毫升移液管相比更容易控制液体量,因此优选地采用50 毫升移液管,填充和移送两次。将盖子旋紧在瓶子上并且轻轻地搅拌内容 物达15分钟,不进行pH调整。将一个pH电极放入瓶中的溶液中并且 重新进行轻微的搅拌。采用滴加的1N氢氧化钠水溶液将pH值调节到 9.0-9.5,在pH值稳定在9.0-9.5之间之前,大约需要5滴1N氢氧化钠溶 液。当该pH值稳定在9.0-9.5之间以后,用铝箔或类似的物质覆盖在瓶 子的顶部以防止蒸发损失。将该混合物在pH9.0-9.5下轻轻搅拌1小时。 将该氧化硅-液体混合物移送到离心管中,通过在上部加料天平上称重而 称出它们的重量。将该混合物离心30分钟,从而产生透明的离心液。将 透明的离心液小心地用滴定管取出并且移送到小玻璃瓶中。采用移液管, 将10.0毫升离心液移送到含有搅拌棒的250毫升锥形玻璃烧瓶中。而后, 向该烧瓶中加入30毫升氯仿、50毫升蒸馏水和15滴0.02%溴酚兰指示 水溶液。采用与在滴定标准CTAB溶液相同的过程并且至相同的终点, 用来自50毫升滴定管的标准AerosolOT溶液滴定该锥形烧瓶中的内容 物。记录所用的标准AerosolOT溶液,V2。将小玻璃瓶(不加盖)在 105℃炉中加热达2小时并且在干燥器中冷却。将重量记录到接近0.1毫 克。将大约1克氧化硅样品加入到瓶中并且将重量记录到接近0.1毫克。 将瓶子和样品在105℃下在炉中加热2小时。将含有样品的瓶子从炉中取 出,立刻加盖,并且在干燥器中冷却。当冷却到室温时,除去盖子并且将 含有样品的瓶子的重量记录到接近0.1毫克。从样品重量中扣除瓶子的皮 重并且记录加热前氧化硅的重量A克,以及加热后氧化硅的重量克B。 根据下列等式计算CTAB表面积(干基),ACTAB,用平方米/克表示: \n本发明的非晶形沉淀氧化硅的DBP吸油率可以在较大的范围内变 化。在许多情况下,DBP吸油率为180-300立方厘米/100克 (cm3/100g)。优选地为180-260立方厘米/100克。用于本发明的说 明书和权利要求书中时,颗粒的DBP吸油率是根据ASTM D 2414-93、 采用邻苯二甲酸二丁酯[CAS 84-74-2]作为吸附物和E型吸附测定仪 测定的,其过程的改变之处如下:(1)将没有进一步干燥的重量为12.5 ±0.1克氧化硅样品加入到E型吸附测定仪中,(2)采用Ohaus水份 天平(Ohaus Corporation,Florham Park,NJ)测定重量为10-11 克的另一种氧化硅样品中的水份含量,其温度和时间设定为160℃和10 分钟,(3)DBP吸油率根据下列等式计算:\n OA=100V/S+3.9(M-1.7) 其中:\nOA是DBP吸油率,cm3/100g,\nV是所用的邻苯二甲酸二丁酯的体积,cm3,\nS是氧化硅样品的重量,g,以及\nM是水份的含量,以H2O的百分重量计。\n非晶形沉淀氧化硅可以是最终颗粒的聚集体、聚集体的结块或其组合 的形式。本发明的非晶形沉淀氧化硅的平均最终颗粒尺寸(不管最终的颗 粒是聚集的和/或结块的)可以在相当大的范围内变化,但通常为20-30 纳米。优选地为24-27纳米。当用于本文中以及权利要求书中时,平均 最终颗粒尺寸是通过采用透射电子显微镜分析由至少256颗仔细确定的 最终颗粒的直径并且计算经过分析的直径的数学平均值而确定的。\n本发明的总浸入体积可以在较宽的范围变化。但是,在许多情况下, 总的浸入体积为2.5-4立方厘米/克,优选地总的浸入体积为2.5-3.4立 方厘米/克。\n对于直径为20-100纳米的孔隙来说,本发明的非晶形沉淀氧化硅 的浸入体积也可以在较宽的范围内变化。在多种情况下,直径为20-100 纳米的孔隙的浸入体积为0.3-1.2立方厘米/克。优选地直径为20-100 纳米的孔隙的浸入体积为0.4-0.8立方厘米/克。\n对于本发明的非晶形沉淀氧化硅来说,在体积孔隙尺寸分布函数最大 值的孔隙直径可以在较宽的范围内变化。通常在体积孔隙尺寸分布函数最 大值的孔隙直径为30-200纳米。优选地为45-130纳米。\n非晶形沉淀氧化硅的浸入体积以及体积平均孔隙尺寸分布函数均通 过采用自动扫描水银孔隙测定仪(Quantachrome Corp.)的水银孔隙测 定法、根据所附的操作说明书进行测定。在操作孔隙测定仪时,在高压范 围(由约103千帕斯卡绝对值到约227兆帕斯卡绝对值)进行扫描。总的 浸入体积是在上述高压扫描过程中浸入到非晶形沉淀氧化硅中的水银的 总体积除以构成试验中样品的非晶形沉淀氧化硅的质量。其它的浸入体积 是直径为20-100纳米的孔隙的体积除以构成试验中样品的非晶形沉淀 氧化硅的质量。体积孔隙尺寸分布函数由下列等式获得: 其中:\nDv(d)是体积孔隙尺寸分布函数,用立方厘米/(纳米·克)cm3/ (nm·g)表示;\nd是孔隙直径,用纳米表示;\np是压力,通常用磅/平方英寸绝对值表示;以及\nV是单位质量的孔隙体积,通常用立方厘米/克表示。 当数据是连续或基本上连续的时(即在P的连续数值之间有较小的间 隙),Dv(d)通过由V对P的点曲线或优选地由原始数据获得小ΔP 值的ΔV/ΔP而确定的。每一个ΔV/ΔP值乘以间隙上端处的压力并除 以相应的孔隙直径。将所获得的值对孔隙直径作图。在体积孔隙尺寸分布 函数最大值时的孔隙直径由所做的图获得。如果需要或者由于在连续的P 值之间存在较大的间隙而有必要时,可以采用数学过程或其它的图解过程 来估算dV/dP。\n采用标准的蓄电池隔板配方和标准的制备蓄电池隔板的工艺来测定 本发明的非晶型沉淀氧化硅的尺寸稳定性,其内容如下所说:\n以示于表1中的数量将组分在Henschel高强度混合器中混合,形成 一种干燥混合物。\n 表1 组分 体积%量 氧化硅 76.1 UHMWPE(1) 6.6 润滑剂(2) 0.1 抗氧化剂(3) 0.1 碳黑/聚乙烯(4) 0.4 (1)UHMWPE=超高分子量聚乙烯,GUR 413,Hoechst Celanese Corp. (2)PetracCZ81,Synpro Corp. (3)IrganoxB215,Ciba-Geigy Corp. (4)Polyblak1850,A.Schulman,Inc. 标准蓄电池隔板配方通过将83.3份体积上述干燥混合物与17份体积 Shellflex3681操作油(Shell Chemical Co.)在Henschel高强度混合器 中混合而形成。最终的混合物是自由流动的粉末形式。将最终的混合物加 入到C.W.Brabender圆锥对旋双螺旋挤出机中。挤出机长度与直径比为 17/1。喂料口处的螺旋机直径为42毫米,而在挤出机的出口处为25毫米。 挤出机筒由三个温度区域组成。挤出混合物加料口位于第一个温度区之前 在挤出过程中将外加的Shellflex3681操作油加入到第一温度区中,以使 挤出产物中的总油量达到64-65%重量。气氛排出位于第二温度区中。 由该筒排出的挤出物进入排料口为1.524毫米的10.15厘米宽的板模具 中。丝网滤板为14/60/14目。挤出温度为215℃。处理量为7.71公斤/小 时。挤出物以3.66米/分钟的速度压延成0.203毫米厚、15.24厘米宽的 板。将挤出的板冷却。\n然后将冷却的板模切成长方形的板,其长度为12.7厘米(机器方向), 宽度为11.4厘米(横向)。将长方形的板取出,在12%重量Shellflex3631 操作油和88%重量正己烷的混合物中萃取平衡,而后在室温下空气干 燥。\n在每个方向上在三个基本上等距离隔开的位置测定干燥长方型的长 度和宽度。测定三个长度(机器方向)测定值的平均值(M1)。并且测 定三个宽度(横向)测定值的平均值(C1)。将测定过的长方形在室温 的水中浸泡1小时,而后在通风橱中在室温下空气干燥。如前所说在两个 方向上重新测定该长方形并且测定相应的平均值(M2和C2)。如下所 说计算机器方向的收缩率(MD收缩率)和横向收缩率(CD收缩率), 用百分比表示: 由于这些值是在标准条件下获得的,因此它们是用于蓄电池隔板配方中的 非晶型沉淀氧化硅的特性。\n机器方向上的收缩率可以变化,但优选地该值较低。在大多数情况 下,本发明的非晶型沉淀氧化硅的特征在于MD收缩率小于3%。优选 地MD收缩率低于2%。\n横向收缩可以变化,但优选地该值也较低。通常本发明的非晶型沉淀 氧化硅的特征在于CD收缩率低于3%。CD收缩率常常低于2%。优选 地CD收缩率低于1%。\n本发明的非晶型沉淀氧化硅可以通过下列方法制得,该方法包括: (a)形成一种外加硅酸钠水溶液,该溶液含有50-120克Na2O/升, 其SiO2∶Na2O摩尔比为3-3.4;(b)形成一种起始硅酸钠水溶液, 该溶液含有50-120克Na2O/升,其SiO2∶Na2O摩尔比为3-3.4; (c)向反应器中加入温室水,该反应器带有主搅拌器和辅助高速搅拌 器,后者位于加入酸的位置附近;(d)当反应器中的水量足够高从而可 以用主搅拌器搅拌时,将起始硅酸钠水溶液和水加入到反应器中,同时搅 拌,以形成第二种硅酸钠水溶液,该溶液含有1.5-7克Na2O/升,其 SiO2∶Na2O摩尔比为3-3.4;(e)将新鲜的蒸汽喷入到第二种硅酸 钠水溶液中,在91-100℃的温度下形成第三种硅酸钠溶液;(f)在 90分钟时间里在将温度保持在91-100℃下的同时,在酸加入位置处将 酸和外加的硅酸钠溶液在主搅拌和辅助高速搅拌的同时加入到第三种硅 酸钠溶液中,从而使Na2O浓度保持在1.5-7克Na2O/升并且以第三种硅 酸钠溶液中硅酸钠量的2-26倍加入硅酸钠;(g)任选地在关闭辅助 高速搅拌器的情况下将反应混合物陈化0-130分钟;(h)开动高速搅 拌器并且加入酸,直到反应混合物的pH为3-4.5;(i)过滤并冲洗, 使最终的硅酸钠浓度为2%重量或更低(基于干重);以及(j)将洗涤 后的非晶型沉淀氧化硅干燥。\n用于该过程的酸可以在较宽的范围内变化。通常,在步骤(f)中加 入的酸应足够强,以中和碱金属硅酸盐并且使氧化硅沉淀。在步骤(h) 中加入的酸应足够强,以使pH值降低到所需的范围内。在各种酸加入步 骤中加入的酸可以相同也可以不同,但优选地是相同的。可以采用一种弱 酸,如通过将二氧化碳导入反应混合物中而产生的碳酸,以使氧化硅沉 淀,但当需要将pH降低到7以下时,在步骤(h)中必须采用强酸。优 选地在整个过程中采用强酸。强酸的例子包括硫酸、盐酸、硝酸、磷酸和 乙酸。优选的是强无机酸,如硫酸、盐酸、硝酸和磷酸;特别优选的是硫 酸。\n步骤(i)的冲洗可以通过本领域已知的用于冲洗固体的任何一种方 法完成。这些方法的例子包括将水经过滤饼并且将沉淀的氧化硅重新在水 中制浆,而后将固体与液体分离。如果需要,可以采用一次冲洗循环,可 以采用连续的冲洗循环。\n步骤(j)的干燥可以通过一种或多种已知的技术来完成。举例来说, 可以将沉淀的氧化硅在空气炉或在真空炉中干燥。优选地,将沉淀的氧化 硅分散在水中并且在热空气柱中喷雾干燥。干燥的温度不是关键,但通常 采用至少400℃的温度。一般说来,干燥温度低于800℃。在绝大多数情 况下,干燥持续进行,直到沉淀的氧化硅具有粉末的特性。通常干燥过的 沉淀氧化硅不是绝对无水的,但含有不同数量的吸附水(1-7%重量), 后者一部分取决于周围的相对湿度。吸附的水是采用设定在160℃和10 分钟的Ohaus湿度秤称出的重量为10-11克的氧化硅样品中除去的 水。\n可以采用的一个任选的步骤是尺寸降低。尺寸降低技术本身是已知 的,例如可以通过研磨、粉末化以及流体能量磨。\n在本发明的各个步骤中采用的搅拌的程度可以有较大的变化。在加入 一种或多种反应物的过程中采用的搅拌至少应足以使该反应物和反应混 合物完全分散,从而使反应物避免出现局部高浓度并且确保基本上均匀地 沉积氧化硅,由此避免大规模的胶凝。在陈化过程中采用的搅拌至少应足 以避免使固体沉降,从而确保使整个氧化硅颗粒基本上均匀发生氧化硅沉 积,它不是在颗粒沉降层的上部或其附近的颗粒上发生氧化硅沉积。搅拌 的程度可以并且优选地高于这些最低要求。通常优选地是剧烈搅拌。\n下面将参照实施例对本发明进行进一步描述,这些实施例仅仅是用来 说明的,而不是要进行限制,其中所有的份均是重量份并且所有的百分比 均是重量百分比,除非另有说明。\n实施例\n制备原料硅酸钠水溶液,其中含有约70克Na2O/升,其SiO2∶Na2O摩尔比为3.2。向100升容器中加入50.1升去离子水和0.5952公斤无水 硫酸钠,该容器配有加热蒸汽蛇管,硅酸钠溶液的入口、酸的入口、出口、 主搅拌器和位于酸加入位置附近的辅助高速搅拌器。在用主搅拌器搅拌的 同时,将加入的物质用蒸汽蛇管加热到80℃,由此产生硅酸钠溶液。在 22.5分钟时间内并且用主搅拌器进行搅拌的同时,加入4.871升原料硅酸 钠水溶液,从而使反应器中溶液中的Na2O的浓度达到约0.20当量。将 反应器中的溶液用蒸汽管蛇加热到95℃。在用两个搅拌器同时转动的同 时在90分钟时间内,加入19.486升原料硅酸钠水溶液和1.1升96%重量 硫酸水溶液的各自液流。在完成加料以后,关闭辅助高速混合器并且将反 应混合物在pH9.6下陈化70分钟,同时将温度保持在95℃。在陈化过 程结束时,开动辅助高速混合器并且以11.74毫升/分钟的速度加入96% 重量硫酸水溶液,直到反应混合物的pH达到3.8。将获得的料浆移送到 几个大的直径为32厘米的瓷漏斗中并且去离子水进行冲洗,直到基于干 基的硫酸钠含量为0.14%重量。从漏斗中除去滤饼并且用少量加入的水 通过搅拌而使其液化并且喷雾干燥。其产品是具有下列物理特性的非晶形 沉淀氧化硅颗粒:\nBET表面积 163平方米/克\nCTAB表面积 66平方米/克\nDBP吸油率 244立方厘米/100克\n平均最终颗粒尺寸 26纳米\n总的浸入体积 3.1立方厘米/克\n直径为20-100纳米\n的孔隙的浸入体积 0.56立方厘米/克\n平均颗粒尺寸 6.1微米\n在体积孔隙尺寸分布\n函数最大值时的孔隙\n直径 120纳米\n机器方向的收缩率 1.6%\n纵向收缩率 0.9%\n尽管参照本发明的某些具体实施方案的特定细节描述了本发明,但是 这些细节并不是要对本发明的范围进行限定,除非它们包含在所附的权利 要求书中。
法律信息
- 2013-06-12
未缴年费专利权终止
IPC(主分类): C01B 33/12
专利号: ZL 97195139.X
申请日: 1997.04.24
授权公告日: 2002.11.27
- 2002-11-27
- 1999-06-23
引用专利(该专利引用了哪些专利)
序号 | 公开(公告)号 | 公开(公告)日 | 申请日 | 专利名称 | 申请人 |
1
| | 暂无 |
1995-11-08
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2
| | 暂无 |
1986-04-18
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被引用专利(该专利被哪些专利引用)
序号 | 公开(公告)号 | 公开(公告)日 | 申请日 | 专利名称 | 申请人 | 该专利没有被任何外部专利所引用! |