薄膜晶体管

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专利名称	薄膜晶体管
申请号	CN200810067159.X	申请日期	2008-05-14
法律状态	驳回	申报国家	暂无
公开/公告日	2009-11-18	公开/公告号	CN101582444
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司	申请人地址	北京市海淀区清华园1号清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	清华大学,鸿富锦精密工业（深圳）有限公司	当前权利人	清华大学,鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
发明人	姜开利;李群庆;范守善
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本发明涉及一种薄膜晶体管，其包括：一源极；一漏极，该漏极与源极间隔设置的；一半导体层，该半导体层与该源极和漏极电连接；以及一栅极，该栅极通过一绝缘层与该半导体层、源极及漏极及绝缘设置；所述半导体层包括一碳纳米管层，该碳纳米管层包括多个碳纳米管，其中，该碳纳米管为半导体性的碳纳米管。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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