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一种半导体功率器件封装结构

实用新型专利有效专利
  • 申请号:
    CN202221127349.8
  • IPC分类号:H01L23/31;H01L23/495;H01L23/367
  • 申请日期:
    2022-05-12
  • 申请人:
    捷捷微电(上海)科技有限公司;江苏捷捷微电子股份有限公司
著录项信息
专利名称一种半导体功率器件封装结构
申请号CN202221127349.8申请日期2022-05-12
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L23/31IPC分类号H;0;1;L;2;3;/;3;1;;;H;0;1;L;2;3;/;4;9;5;;;H;0;1;L;2;3;/;3;6;7查看分类表>
申请人捷捷微电(上海)科技有限公司;江苏捷捷微电子股份有限公司申请人地址
上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区临港新片区南汇新城镇海洋一路333号1号楼、2号楼 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人捷捷微电(上海)科技有限公司,江苏捷捷微电子股份有限公司当前权利人捷捷微电(上海)科技有限公司,江苏捷捷微电子股份有限公司
发明人吴平丽;黄健;孙闫涛;顾昀浦;宋跃桦;刘静;张楠;李力
代理机构广州京诺知识产权代理有限公司代理人于睿虬
摘要
本实用新型公开了一种半导体功率器件封装结构,包括芯片、引线框架和封装体,引线框架包括基板、第一引脚和第二引脚,芯片设置在基板上,第一引脚与基板一体成型,第一引脚通过基板与芯片电性连接,第二引脚在封装体内部通过散热铜片桥接与芯片电性连接;封装体塑封芯片和引线框架,基板的底面外露,第一引脚、第二引脚均延伸至封装体外侧。本实用新型的散热铜片的表面在封装体的正面外露,散热铜片面积可根据需要自行调整,散热面积比传统封装更大,具有更好的散热效果;同时,能够大大降低封装热阻,尤其是Rthja。

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