一种N面分立的倒序结构激光器芯片及制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202011623181.5
IPC分类号：H01S5/20;H01S5/32
申请日期：
2020-12-30
申请人：
中国电子科技集团公司第十三研究所

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法律信息

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著录项信息

专利名称	一种N面分立的倒序结构激光器芯片及制备方法
申请号	CN202011623181.5	申请日期	2020-12-30
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-05-18	公开/公告号	CN112821198A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01S5/20 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01S 利用受激发射的器件 H01S5/00 半导体激光器〔7〕 H01S5/20 用于控制光波导的半导体的结构或形状〔7〕	IPC分类号	H;0;1;S;5;/;2;0;;;H;0;1;S;5;/;3;2查看分类表>
申请人	中国电子科技集团公司第十三研究所	申请人地址	河北省石家庄市合作路113号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国电子科技集团公司第十三研究所	当前权利人	中国电子科技集团公司第十三研究所
发明人	王彦照;张岩;宁吉丰;陈宏泰;李扬
代理机构	石家庄国为知识产权事务所	代理人	秦敏华

摘要

本申请公开了一种N面分立的倒序结构激光器芯片及制备方法，属于半导体激光器技术领域。所述N面分立的倒序结构激光器芯片，包括：一N型衬底及在所述N型衬底的上表面从下至上依次生长的隧道结层、P型限制层、P型波导层、量子阱层、N型波导层、N型限制层、电极接触层和第一欧姆接触电极，和设置在所述N型衬底的下表面的第二欧姆接触电极；在远离所述N型衬底一侧、自所述第一欧姆接触电极向下设有多个刻蚀槽，所述刻蚀槽至少延伸至露出所述N型波导层。本发明通过在N型衬底上先生长隧道结层，然后生长P型材料和N型材料，形成了N面分立而P面连通的半导体激光器芯片。

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