一种氮化镓基发光二极管的外延粗化方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201110136088.6
IPC分类号：H01L33/00;C30B25/02;C30B29/38;C30B29/40
申请日期：
2011-05-24
申请人：
中国科学院半导体研究所

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法律信息

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著录项信息

专利名称	一种氮化镓基发光二极管的外延粗化方法
申请号	CN201110136088.6	申请日期	2011-05-24
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2011-10-12	公开/公告号	CN102214739A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;0;0;;;C;3;0;B;2;5;/;0;2;;;C;3;0;B;2;9;/;3;8;;;C;3;0;B;2;9;/;4;0查看分类表>
申请人	中国科学院半导体研究所	申请人地址	北京市海淀区清华东路甲35号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院半导体研究所	当前权利人	中国科学院半导体研究所
发明人	李志聪;姚然;王兵;梁萌;李璟;王国宏;李晋闽
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	周国城

摘要

本发明公开了一种氮化镓基LED的外延粗化方法的流程图，包括：选择一衬底；在该衬底上生长一氮化铝镓铟成核层；在该氮化铝镓铟成核层上生长非故意掺杂氮化镓层；在该非故意掺杂氮化镓层上生长N型掺杂的氮化镓层；在该N型掺杂的氮化镓层上生长氮化铝镓铟多量子阱发光层；在该氮化铝镓铟多量子阱发光层上生长P型掺杂的氮化铝镓铟层，该层为单层或者不同组分与厚度的氮化铝镓铟叠层结构；以及在该P型掺杂的氮化铝镓铟层上生长P型掺杂的氮化镓层。利用本发明，实现了P型掺杂的氮化铝镓铟层生长时的表面粗化，制备出的LED效率相对与传统结构提高了30％以上，且其电学性质优良。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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