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电子器件

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201910645069.2
  • IPC分类号:H01L29/20;H01L29/423;H01L29/49;H01L29/778
  • 申请日期:
    2019-07-17
  • 申请人:
    半导体元件工业有限责任公司
著录项信息
专利名称电子器件
申请号CN201910645069.2申请日期2019-07-17
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2020-02-14公开/公告号CN110797393A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/20IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;2;0;;;H;0;1;L;2;9;/;4;2;3;;;H;0;1;L;2;9;/;4;9;;;H;0;1;L;2;9;/;7;7;8查看分类表>
申请人半导体元件工业有限责任公司申请人地址
美国亚利桑那州 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人半导体元件工业有限责任公司当前权利人半导体元件工业有限责任公司
发明人阿布舍克·班纳吉;P·范米尔贝克;皮特·莫昂
代理机构北京派特恩知识产权代理有限公司代理人尚玲;姚开丽
摘要
本发明公开了一种电子器件。该电子器件可以包括沟道层,该沟道层包含AlzGa(1‑z)N,其中0≤z≤0.1;栅极介电层;以及高电子迁移率晶体管(HEMT)的栅极电极。栅极介电层可以设置在沟道层与栅极电极之间。所述栅极电极包括接触所述栅极介电层的栅极电极膜,其中所述栅极电极膜可以包含某种材料,其中所述材料具有的电子亲和能与带隙能量的总和为至少6eV。在一些实施方案中,该材料可以包括p型半导体材料。用于所述栅极电极膜的所述特定材料可以被选择来实现增强型HEMT的所期望的阈值电压。在另一个实施方案中,阻挡层的一部分可以在栅极结构下方保持完整。这样的配置可以改善载流子迁移率并减少Rdson。

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