有源矩阵基板的制造方法和显示装置的制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201380025264.6
IPC分类号：G09F9/30;G02F1/1368;G09F9/00
申请日期：
2013-06-17
申请人：
夏普株式会社

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著录项信息

专利名称	有源矩阵基板的制造方法和显示装置的制造方法
申请号	CN201380025264.6	申请日期	2013-06-17
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2015-01-21	公开/公告号	CN104303221A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G09F9/30 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G09 教育；密码术；显示；广告；印鉴 G09F 显示；广告；标记；标签或铭牌；印鉴 G09F9/00 采用选择或组合单个部件在支架上建立信息的可变信息的指示装置（其中可变信息永久性的连接在可动支架上的入G09F 11/00） G09F9/30 由组合单个部件所形成的符号所需的字符或字符组	IPC分类号	G;0;9;F;9;/;3;0;;;G;0;2;F;1;/;1;3;6;8;;;G;0;9;F;9;/;0;0查看分类表>
申请人	夏普株式会社	申请人地址	日本大阪府变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	夏普株式会社	当前权利人	夏普株式会社
发明人	井上毅
代理机构	北京市隆安律师事务所	代理人	权鲜枝

摘要

一种有源矩阵基板的制造方法，在像素区域形成栅极配线，并且在边框区域(17)形成多个配线层(26、27)。接着，形成覆盖配线层(26、27)和栅极配线的栅极绝缘层(32)和半导体材料层(35)。接着，形成在像素区域覆盖半导体材料层(35)的第1抗蚀剂和分别覆盖配线层(26、27)之间的栅极绝缘层(32)的第2抗蚀剂(42)。接着，对从第1和第2抗蚀剂(42)露出的半导体材料层(35)进行干式蚀刻，由此形成半导体元件的半导体层。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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