水平式气体射流冲击烤箱实用新型专利
申请号：CN02238211.9
LOC分类号:
IPC结构图谱：
- H电学
- H9电学
- H01基本电气元件
- H01L半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕
- H01L21/00专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕
- H01L21/02半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕
- H01L21/04至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕
- H01L21/18器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕
- H01L21/22杂质材料的扩散，例如在半导体或半导体的交界区掺入或析出掺杂材料，电极材料；杂质材料的再分配，例如，不引入或去除过多的掺杂剂〔2〕
- H01L21/228应用从液相向固体或从固体向液相的扩散法，例如合金扩散工艺方法〔2〕
