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一种增大钙钛矿CH3NH3PbI3晶粒以改善薄膜结晶质量的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201710329080.9
IPC分类号：H01L51/42;H01L51/48
申请日期：
2017-05-11
申请人：
陕西师范大学

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种增大钙钛矿CH3NH3PbI3晶粒以改善薄膜结晶质量的方法
申请号	CN201710329080.9	申请日期	2017-05-11
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2017-09-05	公开/公告号	CN107134531A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L51/42 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L51/20 （转入H01L 51/05，H01L 51/42，H01L 51/50） H01L51/42 专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制〔8〕	IPC分类号	H;0;1;L;5;1;/;4;2;;;H;0;1;L;5;1;/;4;8查看分类表>
申请人	陕西师范大学	申请人地址	陕西省西安市长安南路199号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	陕西师范大学	当前权利人	陕西师范大学
发明人	高斐;王昊旭;雷婕;李娟;姜杰轩;胡西红
代理机构	西安永生专利代理有限责任公司	代理人	高雪霞

摘要

本发明公开了一种增大钙钛矿CH3NH3PbI3晶粒以改善薄膜结晶质量的方法，该方法在采用旋涂法制备钙钛矿薄膜的过程中，通过对钙钛矿CH3NH3PbI3前驱液施加强而稳定的磁场，促进了钙钛矿CH3NH3PbI3成膜过程中晶粒的长大，增加了钙钛矿晶粒尺寸，提高了结晶质量、降低了缺陷密度，从而提高了CH3NH3PbI3薄膜太阳能电池光电转化效率和寿命。

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