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一种制备晶圆级单层二硫化钼薄膜的方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201911392156.8
  • IPC分类号:C23C16/30;C23C16/44
  • 申请日期:
    2019-12-30
  • 申请人:
    中国人民大学
著录项信息
专利名称一种制备晶圆级单层二硫化钼薄膜的方法
申请号CN201911392156.8申请日期2019-12-30
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2021-07-16公开/公告号CN113122818A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C23C16/30IPC分类号C;2;3;C;1;6;/;3;0;;;C;2;3;C;1;6;/;4;4查看分类表>
申请人中国人民大学申请人地址
北京市海淀区中关村大街59号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国人民大学当前权利人中国人民大学
发明人王志永;王东升;周中浩;郑孔嘉
代理机构北京纪凯知识产权代理有限公司代理人关畅
摘要
本发明公开了一种制备晶圆级积单层二硫化钼薄膜的方法。该方法基于化学气相沉积技术,采用“面对面”提供钼源的方式,可以在蓝宝石晶圆衬底上生长连续、均匀的单层二硫化钼薄膜。该方法使用硅胶板或氧化铝板作为钼源载体,钼源前驱体以溶液的形式分散在硅胶板或氧化铝板上。在双温区化学气相沉积系统中,硫粉放置于左侧温区,蓝宝石衬底和钼源载体“面对面”放置于右侧温区。在高温下,硫蒸气与钼源发生化学反应,在蓝宝石衬底均匀沉积,得到大面积的单层二硫化钼薄膜。该方法操作简单,实验结果重复性好,对大面积单层二硫化钼薄膜的连续化生产和电子器件应用具有重要意义。

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