基于Abbe矢量成像模型的非理想光刻系统ATTPSM的优化方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201110268179.5
IPC分类号：G03F1/32;G03F1/00;G03F7/20
申请日期：
2011-09-09
申请人：
北京理工大学

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专利名称	基于Abbe矢量成像模型的非理想光刻系统ATTPSM的优化方法
申请号	CN201110268179.5	申请日期	2011-09-09
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2011-12-07	公开/公告号	CN102269924A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G03F1/32 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术〔4〕 G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备（照相排版装置入B41B；为摄影用的感光材料或处理入G03C；电记录、感光层或处理入G03G） G03F1/16 （转入G03F 1/00-G03F 1/86） G03F1/26 相移掩膜〔PSM〕；PSM空白；其制备〔2012.01〕 G03F1/32 衰减 PSM〔att-PSM〕，例如半色调PSM或者有半透明相移部分的PSM；其制备〔2012.01〕	IPC分类号	G;0;3;F;1;/;3;2;;;G;0;3;F;1;/;0;0;;;G;0;3;F;7;/;2;0查看分类表>
申请人	北京理工大学	申请人地址	北京市海淀区中关村南大街5号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	北京理工大学	当前权利人	北京理工大学
发明人	马旭;李艳秋;董立松
代理机构	北京理工大学专利中心	代理人	李爱英;杨志兵

摘要

本发明提供一种基于Abbe矢量成像模型的非理想光刻系统ATTPSM的优化方法，该方法设置相移掩膜中不同相位开口部分的透射率，设置变量矩阵Ω，将目标函数D构造为理想像面处的成像评价函数与离焦量为fnm的像面处的成像评价函数的线性组合；利用变量矩阵Ω以及目标函数D引导相移掩膜图形和相位的优化。本发明中利用矢量成像模型，在获取空间像的过程中考虑了电磁场的矢量特性，使得优化后的掩膜不但适用于小NA的光刻系统，也适用于NA＞0.6的光刻系统。同时本发明利用优化目标函数的梯度信息，结合最陡速降法对相移掩膜图形进行优化，优化效率高。

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