非易失性存储器的阱区延伸结构的制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200610143311.9
IPC分类号：H01L21/8247;H01L21/768
申请日期：
2006-11-03
申请人：
力晶半导体股份有限公司;株式会社瑞萨科技

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著录项信息

专利名称	非易失性存储器的阱区延伸结构的制造方法
申请号	CN200610143311.9	申请日期	2006-11-03
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2008-05-07	公开/公告号	CN101174592
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/8247	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;8;2;4;7;;;H;0;1;L;2;1;/;7;6;8查看分类表>
申请人	力晶半导体股份有限公司;株式会社瑞萨科技	申请人地址	中国台湾新竹科学工业园区变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	力晶半导体股份有限公司,株式会社瑞萨科技	当前权利人	力晶半导体股份有限公司,株式会社瑞萨科技
发明人	翁伟哲;王炳尧
代理机构	北京市柳沈律师事务所	代理人	陶凤波

摘要

本发明公开了一种非易失性存储器的阱区延伸结构的制造方法，此方法是先提供基底，基底包括第一导电型阱区、元件隔离结构以及虚拟存储器单元行。虚拟存储器单元行包括第二导电型源极区与第二导电型漏极区。在基底上形成具有开口的第一层间绝缘层，且开口暴露出两个相邻的第二导电型漏极区以及两者之间的元件隔离结构。移除开口中的部分元件隔离结构，并在开口中的基底中形成第一导电型延伸掺杂区。在开口中填满阱区延伸导体层，接着再在基底上形成电学连接阱区延伸导体层的虚拟位线。

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