可免除尖端漏电及电子跳脱的金属氧化物半导体制法及装置

发明专利无效专利

申请号：
CN02152655.9
IPC分类号：--
申请日期：
2002-11-28
申请人：
华邦电子股份有限公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	可免除尖端漏电及电子跳脱的金属氧化物半导体制法及装置
申请号	CN02152655.9	申请日期	2002-11-28
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2004-06-16	公开/公告号	CN1505119
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	华邦电子股份有限公司	申请人地址	台湾省新竹市新竹科学工业园区研新三路4号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	华邦电子股份有限公司	当前权利人	华邦电子股份有限公司
发明人	张文岳
代理机构	上海专利商标事务所	代理人	任永武

摘要

本发明是一种可免除尖端漏电及电子跳脱效应的金属氧化物半导体制法及其装置，实行此一方法步骤是利用微影、蚀刻等步骤在硅基底相对主动区外围以浅沟槽绝缘(STI)制法形成晶体管的绝缘层，再于该绝缘层中央的封闭空间形成晶体管的基极；因该绝缘层是以STI制法形成，且不先将该绝缘层移除，故可使基极获得自动对准的效果，而后再于该绝缘层上形成相对于基底发射极、集电极区的窗口，以进行发射极、集电极的离子布植，藉此，利用前述制程不蚀刻去除外围绝缘层，故不会于基极两侧形成凹槽，进而完全免除尖端漏电(corner conduction)及电子跳脱(Electron injection)等不良效应。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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