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一种在硅片上化学镀铜的方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200610028008.4
IPC分类号：C23C18/40;C23C18/18
申请日期：
2006-06-22
申请人：
复旦大学

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种在硅片上化学镀铜的方法
申请号	CN200610028008.4	申请日期	2006-06-22
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2006-11-22	公开/公告号	CN1865500
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C18/40 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C18/00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆）；接触镀〔4，2006.01〕 C23C18/16 还原法或置换法，例如无电流镀（C23C 18/54优先）〔4〕 C23C18/31 用金属镀覆〔5〕 C23C18/38 镀铜〔4，5〕 C23C18/40 使用还原剂〔4，5〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;8;/;4;0;;;C;2;3;C;1;8;/;1;8查看分类表>
申请人	复旦大学	申请人地址	上海市邯郸路220号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	复旦大学	当前权利人	复旦大学
发明人	蔡文斌;王会锋
代理机构	上海正旦专利代理有限公司	代理人	陆飞;盛志范

摘要

本发明属于化学镀铜技术领域，具体为一种在硅片上镀铜的新方法。该方法是在含铜盐的氢氟酸溶液中，在硅片表面引入铜晶种作为催化剂，进而进行镀铜。由于铜的自催化作用，可以快速地引发化学镀镀液中铜离子的还原，使得还原出的铜快速地沉积在基底的表面上，得到牢固、光亮和均匀的铜镀层。本发明方法操作简便，价格低廉，同时又提高了铜膜的纯度和导电性能。

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