加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

一种低应力氮化硅薄膜的制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201510445567.4
  • IPC分类号:H01L21/02
  • 申请日期:
    2015-07-27
  • 申请人:
    成都嘉石科技有限公司
著录项信息
专利名称一种低应力氮化硅薄膜的制备方法
申请号CN201510445567.4申请日期2015-07-27
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2015-11-18公开/公告号CN105070646A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/02IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;0;2查看分类表>
申请人成都嘉石科技有限公司申请人地址
四川省成都市双流县西南航空港经济开发区物联网产业园内 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人成都海威华芯科技有限公司当前权利人成都海威华芯科技有限公司
发明人周华芳
代理机构成都华风专利事务所(普通合伙)代理人徐丰
摘要
本发明涉及半导体制备技术领域,解决了现有技术中在制备氮化硅薄膜中应力较大,不适于砷化镓器件的要求的技术问题,通过提供一种低应力氮化硅薄膜的制备方法,包括如下步骤:将晶圆载入反应腔后对所述反应腔进行抽真空,将所述反应腔的真空度保持在预设真空度,且保持第一预设时长;控制所述反应腔内的温度值至预设温度值,且保持第二预设时长;向所述反应腔内分别通入第一流量的SiH4气体、第二流量的NH3气体、第三流量的N2气体和第四流量的He气体,并在通入各气体后,保持第三预设时长;进行射频点火,使各气体形成等离子体状态并相互间发生反应,在所述晶圆表面生成氮化硅薄膜,进而实现了能够制备出低应力的氮化硅薄膜的技术效果。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供